Способы обеспечения рабочего режима транзистора
Способы обеспечения рабочего режима транзистора
Электропитание цепей коллектора обычно осуществляется от общего источника постоянного тока (гальванической батареи или выпрямителя переменного напряжения сети). Для устранения межкаскадных связей применяют развязывающие RС-фильтры.
Нужный рабочий режим (рабочую. точку) транзистора в усилительном каскаде устанавливают подачей на базу относительно эмиттера фиксированного напряжения смещения, которое можно получить от коллекторного источника питания через делитель напряжения или гасящее сопротивление.
Способы подачи смещения. Фиксированное смещение можно осуществлять фиксированным током или напряжением. Смещение фиксированным напряжением база — эмиттер создается от общего источника Ек делителем R1R2Ток делителя Iд создает на резисторе R2 падение напряжения, которое действует в проводящем направлении к эмиттерному p-n-переходу. Чтобы смещение оставалось неизменным при колебаниях температуры или смене транзистора, сопротивление резистора R2 желательно выбирать небольшим. Однако при этом снижается входное сопротивление усилителя. В зависимости от выходной мощности и режима работы каскада ток делителя Iд= (2- 5)Iоб. С увеличением тока Iд возрастает потребление энергии и снижается кпд каскада. Этот способ смещения применяется в усилителях режима В при малых колебаниях температуры.
В схеме с ОЭ смещение фиксированным током базы от общего источника осуществляется через большое гасящее сопротивление резистора R1 . Начальный ток базы 10б = (ЕК — U06)/R1. Если не учитывать напряжение U0б из-за его незначительности (Iоб=Ex/R1), следует, .что ток базы зависит только от внешних параметров. В схеме с ОЭ ток базы IОб характеризуется коэффициентом передачи Р=Iк/Iб, который различен у однотипных транзисторов, поэтому схема с фиксированным током базы малопригодна для серийной аппаратуры, а также чувствительна к температурным колебаниям. В схеме с ОБ режим смещения задается фиксированным током проходящим через эмиттерный переход и резистор R1. Конденсатор Сб разделяет постоянную и переменную составляющие тока. Через этот конденсатор по переменной составляющей база получает нулевой потенциал, поскольку для этой составляющей сопротивление конденсатора Xc<Rl, потенциал базы близок к нулю. В приведенных схемах смещение на транзистор подается как параллельно источнику сигнала так и последовательно с ним Для отделения (по постоянному току) выхода источника сигнала от управляющего электрода транзистора в схемы включают разделительный конденсатор С1
Термостабилизация рабочей точки. Температурная стабилизация режима работы усилителя достигается введением в схему отрицательной обратной связи по току, напряжению или комбинированной. Для стабилизации рабочей тонки при изменениях температурного режима работы транзистора схемы усилителей дополняют элементами эмиттерной и коллекторной стабилизации.
Эмиттерная стабилизация режима осуществляется с помощью ООС по постоянному току через эмиттерный резистор Rэ. При прохождении через резистор Ra тока Iэ значительно уменьшается напряжение, которое действует в противофазе с фиксированным напряжением смещения, снимаемым с резистора R2 делителя R1R2, С повышением температуры возрастает ток Iэ, что вызывает увеличение тока Iб и Iк. При этом возрастает напряжение Uлэ=IэRэ на резисторе Ra, вследствие чего автоматически повышается результирующий потенциал на базе Eбэ= — UR2+UR9, что вызывает уменьшение токов Iэ, Iб и Iк. Емкость Сэ блокирует по переменному току резистор R9, благодаря чему устраняется падение напряжения сигнала на резисторе, исключается ООС по переменному току и сохраняется постоянство коэффициента усиления каскада.
Коллекторная стабилизация осуществляется с помощью ООС по напряжению, которая достигается подключением резистора R1 непосредственно к коллектору транзистора При повышении температуры и возрастании тока Iк (от исходного значения IОк) увеличивается падение напряжения на резисторе RK и соответственно уменьшается (по абсолютному значению) напряжение на коллекторе икэ=Ек — IKRK и базе, что вызывает снижение тока базы Iб, а следовательно, и тока Iк, который стремится возвратиться к своему исходному значению Iок Более высокую стабильность работы обеспечивают схемы с комбинированной ООС потоку и напряжению Обычно комбинированная обратная связь вводится лишь для постоянного тока. Чтобы исключить обратную связь по переменному току, резистор Лэ (элемент ООС по току) шунтируют конденсатором Сэ большой емкости. Термокомпенсация рабочей точки. Температурная компенсация режима предусматривает в схемах использование нелинейных элементов, параметры которых зависят от температуры. В качестве нелинейных (температурно-зависимых) элементов служат терморезисторы, диоды, транзисторы.
В делитель, подключенный к базе вместо резистора R2 включают терморезистор, который при нормальной температуре имеет сопротивление, необходимое для установления начального рабочего режима. При этом через коллектор проходит требуемый ток покоя. При повышении температуры сопротивление терморезистора уменьшается, напряжение между базой и эмиттером снижается, вследствие чего ток покоя коллектора остается постоянным. Для компенсации разброса параметров транзисторов и получения требуемой характеристики термочувствительного элемента включают линейные- (лучше переменные) резисторы R2, R3 последовательно с терморезистором и параллельно ему.
Терморезисторы обладают неодинаковой с транзистором температурной инерционностью. Лучшие результаты при компенсации получают при включении диода в качестве термочувствительного элемента Температурные коэффициенты напряжения ТКН эмиттерно-базового перехода транзистора и диода, включенного в прямом направлении, одинаковы. Можно подобрать приборы с одним и тем же температурным изменением обратных токов, что обеспечит более полную компенсацию.
Диод V2 в схеме компенсирует температурный сдвиг входной характеристики транзистора. С повышением температуры уменьшается падение напряжения на диоде в проводящем направлении, следовательно, уменьшается напряжение смещения во входной цепи транзистора. Обратный ток коллекторного перехода Iк.обр транзистора компенсируется диодом V2, обратный ток которого противоположен обратному току транзистора.