Тиристоры — полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой типа р-n-р-n с тремя взаимодействующими между собой p-n-переходами Крайние p-n-переходы структуры назы­вают эмиттерными 9i и Эз, средний — коллекторным КП, а внут­ренние области, лежащие между переходами, — базами Б1 и Б2. В неуправляемых диодных тиристорах (динисторах) имеется два внешних токоотвода, подключаемых к крайним р- и n-областям. Управляемые триодные тиристоры (тринисторы) снабжены дополни­тельным токоотводом УЭ от управляющего электрода — узкой базы Бз. Внешний источник U подключается «плюсом» к об­ласти р (аноду А), а «минусом» — к n(катоду K). При этом эмит-терные переходы Э1 и Э2 получают прямое смещение и работают в режиме инжекции; коллекторный переход получает обратное смеще­ние, сопротивление его велико, ток через структуру незначителен, поэтому все напряжение источника питания практически будет при­ложено к этому переходу. В таком режиме прибор закрыт. При повышении напряжения U ток I через структуру будет рас­ти  сначала за счет увеличения прямого смещения эмит-терных переходов. При некотором напряжении U процесс бурно на­растает, приток основных носителей заряда в базах скомпенсирует их убыль, заряды станут равновесными, коллекторный переход ока­жется в равновесии. Когда приток основных носителей заряда в ба­зах станет превышать их убыль вследствие рекомбинации, база Б1 зарядится отрицательно, а база Б2 — положительно, коллекторный переход получит прямое смещение. В этом режиме эмиттерные Э1 и Э2 и коллекторный КП переходы получают лрямое смещение, со­противление структуры резко снизится, тиристор откроется. Выклю­чить динистор можно, сняв напряжение или снизив ток через него. В тринисторе между управляющим электродом УЭ и катодом K включается источник прямого, смещения эмиттерного перехода Э2, что позволяет регулировать ток инжекции, а следова­тельно, и напряжение включения Uвла.