Транзисторы большой мощности
Транзисторы большой мощности
Низкочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ703 (А - Д) применяют для работы в выходных каскадах УНЧ и выпускают в металлическом герметичном корпусе массой 15 г, с диапазоном рабочих температур от - 40 до +55 °С.
Электрические параметры транзисторов поиведены ниже.
|
ГТ703А
|
ГТ703Б
|
ГТ703В
|
ГТ703Г
|
ГТ703Д
|
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В, Iк=50 мА
|
30-70
|
50 - 100
|
30 -70
|
50 -100
|
20-45
|
Ток коллектору, А, в диапазоне рабочей температуры ......
|
|
|
3,5
|
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=10 В . .
|
|
|
50
|
|
|
Предельная частота передачи тока, кГц, в схеме с ОЭ при UK=2 В и Iк=0,5 А ...
|
|
|
10
|
|
|
Обратный ток коллектора *, мкА
|
|
|
500
|
|
|
Напряжение Uкэ, В, при Rб=50 Ом и Тк=55 °С .....
|
20
|
20
|
30
|
30
|
40
|
Напряжение Uкэ, В, в режиме насыщения при Iк=3 А ....
|
|
|
0,6
|
|
|
Напряжение Uбэ, В, в режиме насыщения ** при Iк=3 А . , . ,
|
|
|
1
|
|
|
Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт:
|
|
||||
с теплоотводом TК<409С . .
|
15
|
||||
без теплоотвода
|
1,6
|
||||
Тепловое сопротивление пере- ход - корпус,
°С/Вт .....
|
3
|
||||
Температура перехода, °С . . .
|
85
|
* При напряжении коллектор — база, В, для групп ГТ703: 20 (А, Б), 80 (В! Г, Д). .
** При токе базы, мА, для групп ГТ703: 150 (А, Б), 90 (Б, Г) и 225 (Д). *** При температуре корпуса выше 40 °С мощность, Вт, Ркмакс= -=(85-Гс°С)/3.
Транзисторы n-р-n КТ704 (А, Б, В) применяют для работы в схемах строчной развертки цветных телевизоров и выпускают в металлическом корпусе с монтажным винтом и жесткими выводами массой 15,5 г. Электрические параметры приведены ниже.
|
ГТ704А
|
ГТ704Б
|
ГТ704В
|
Статический коэффициент передачи тока при UK= 15 В и Iэ=1 А ....
|
15
|
15
|
15
|
Модуль коэффициента передачи тока при f= 1 МГц Uк=10 В и Iк=0,1 А .. . .
|
3
|
3
|
3
|
Ток коллектора, А: постоянный при Тк= +50°С
|
|
2,5
|
|
Импульсный, А .......
|
|
4
|
|
Начальный ток коллектора, мА ........
|
|
5
|
|
Обратный ток эмиттера, мА, при Uб=4 В . . . .
|
|
100
|
|
Импульсное напряжение UK3, В, при Rб<10 Ом, гимп=10 мс и Q<50 . . .
|
1000
|
700
|
500
|
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=2 Аи 7б=1,5А: база — эмиттер . . ,
|
|
3
|
|
коллектор — эмиттер
|
|
5
|
|
Постоянное напряжение
икэ, в ........
|
|
200
|
|
Напряжение UЭб, В . ,
|
|
4
|
|
Ток базы, А ..... Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при Tй= - + 50°С . ......
|
|
2 15
|
|
Граничная частота передачи тока, МГц ... . .
|
|
3
|
|
Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт .
|
|
5
|
|
Температура корпуса, °С
|
|
100
|
|
Температура перехода, °С
|
|
125
|
|
Среднечастотные. Транзисторы n-р-n КТ805 (А, Б) применяют для работы в выходных каскадах строчной развертки телевизоров, схемах зажигания автотракторных двигателей и выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68, а), массой 25 г (без накидного фланца) и 10 г, с диапазоном рабочих температур от - 55 до +100°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
|
КТ805А
|
КТ805Б
|
Статический коэффициент передачи тока при Uк=10 В и Iк=2 А при +20 и - 55 °С соответственно . . .
|
15 и 5
|
|
Модуль коэффициента передачи тока при ,Uк= 10 В, Iк=1 А и f= 10 МГц .......... .
|
2
|
|
Ток коллектора, А .......
|
5
|
|
Импульсный ток коллектора, А,
|
|
|
при Тимп=200 мкс и скважности 1,5
|
8
|
|
Импульсный начальный ток коллектора, мА, при Rб=10 Ом при 20 и 100°С соответственно ......
|
60 и 70
|
|
Обратный ток коллектора, мкА, при UK6 — 5 В .........
|
100
|
|
Ток базы, А . . .......
|
2
|
|
Импульсный ток базы, А, при тимп<20 мкс .........
|
2,5
|
|
Напряжения насыщения Uбэ и UMt
|
|
|
В, при Iк=5 А и I6=0,5 А ....
Импульсное напряжение UK3 *, В, при tИМП<500 мкс с фронтом нарастания тфн<15 ,мкс, Rб=10 Ом и Tп<1000С .
|
2,5
160
|
5
135
|
Напряжение UЭб, В .....
|
5
|
|
Мощность **, Вт, рассеиваемая коллектором, при ГК<500С . . .
|
30
|
|
Температура перехода, °С . . .
|
150
|
* В схеме строчной развертки телевизора для КТ805А импульсное напряжение Uкэ допускается 180 В при тимп<15 мкс и ТК<70°С. В диапазоне температур от 100 до 150 °С Uкэ снижается на 10% на каждые 10 °С от значения UK3 при 100 °С.
** В диапазоне температур от 50 до 100 °С мощность, Вт, Рк макс= «=(150-TК°С)/3,3.
Транзисторы р-n-р ГТ806 (А - Д) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами массой 28 г, с диапазоном рабочих температур от - 55 до +55 °С. Электрические параметры приведены ниже.
|
ГТ806А
|
ГТ806Б
|
ГТ806В
|
ГТ806Г
|
ГТ806Д
|
||
Статический коэффициент передачи тока при Iк=10 А ....
|
10 - 100
|
10 - 100
|
10 - 100
|
10 - 100
|
10 - 100
|
||
Напряжение Uкб, В . ...»
|
75
|
100
|
120
|
50
|
140
|
||
Напряжение Uкэ, В, запертого транзистора при
Uбэ=1 В ....
|
7Ь
|
100
|
120
|
50
|
140
|
||
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк== 15 А, Iб=2 А:
|
|
|
|||||
коллектор — эмиттер . . .
|
0,6
|
|
|||||
база — эмиттер ....
|
1
|
|
|||||
Напряжение
Uэб, В .....
|
1,5
|
|
|||||
Ток коллектора в режиме насыщения, А ....
|
.15
|
|
|||||
Ток коллектора запертого тран-зистора7 мА, при Uбэ=1 В и предельно допустимых напряжениях UКЭ
|
15
|
|
|||||
Ток базы, А . .
|
3
|
|
|||||
Обратный ток эмиттера, мА, при Uэб = 1,5 В ...
|
8
|
|
|||||
Предельная частота передачи тока, МГц, при UK= 5 В, Iк=1 А . .
|
10
|
|
|||||
Тепловое сопротивление переход — корпус, сС/Вт .....
|
2
|
|
|||||
Мощность, Вт, рассеиваемая коллектором, при температуре корпуса, °С: 30 .....
|
30
|
|
|||||
55 .....
|
15 ,
|
|
|||||
Температура перехода, °С . . ,
|
85
|
|
|||||
Время переключения. МКС . . .
|
5
|
|
- Транзистор n-р-n КТ808А выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от - 60 до тЫОО°С, Электрические параметры приведены ниже.
- Статический коэффициент передачи тока при Uк=3 В и Iк=6 А................. 10 — 50
- Модуль коэффициента передачи тока при f=3,5 МГц, Uк=10 В и Iэ = 0,5 А............. 2
- Ток коллектора, А.............. 10 Начальный ток коллектора, мА, при Uкэ=120 В . . 3 Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=10 В и 1э== 0,5 А.................. 50 Ток базы, А................ 4
- Емкость коллектора, пФ, при f=1 МГц и Uк6= 100-В 500 Напряжение UЭб, В, в режиме насыщения при Iк=6 А
- и I6 = 0,6 А................. 2,5
- Напряжение UKa, В, при Rо=10 Ом....... 120
- Импульсное напряжение Dm, В, при тинп = 500 мкс, скважности 1,5 и TП<10°С........... 250
- Напряжение UЭб, В............. 4
- Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт . .. 2
- Мощность, * рассеиваемая коллектором, Вт, при температуре корпуса ниже 50 °С: с теплоотводом.............. 50 без теплоотвода.............. . 5
- Температура перехода, °С ......... . 150
- * При температуре корпуса более 50 °С мощность, Вт, Ркмакс= (150-Тк)/2.
Транзисторы n-р-n КТ809А используют для работы в выходных каскадах строчной развертки, усилителях импульсных сигналов и других радиоэлектронных устройствах, их выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от - 60 до + 125°С. Электрические параметры приведены ниже.
- Статический коэффициент передачи тока при Uк=5 В и Iк=2 А............15 — 100
- Модуль коэффициента передачи тока при f= 3,5 МГц, Iк=0,5 А........... 1,5
- Ток коллектора, А, в рабочем диапазоне температуры................. 3
- Импульсный ток коллектора, А, при тиып<400 мкс............... 5
- Начальный ток коллектора, мА, при Uка=400В 6
- Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=4 В . . 50
- Ток базы, А.....,......... 1,5
- Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 2 А и Iб=0,4А: коллектор — эмиттер.......... 1,5база — змиттер............2,3
- Напряжение UK3, В, при R6<100 Ом и температуре от — 60 до +100 °С ......... 400
- Напряжение UЭб, В, в диапазоне рабочих температур ................ 4
- Граничная частота коэффициента передачи тока, МГц...............« 5,5
- Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, с теплоотводом при Тк= — 60-+500С..... 40 Температура перехода, °С ......... 1ЗД
- * При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Pк.макс= (150-Гк)/2,5.
Высоко- и сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ905 (А, Б) выпускают в металлопластмассовом или металлостеклянном корпусе массой соответственно 7 и 4,5 г (с крепежным фланцем 6 г), с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
- Статический коэффициент переда.чи тока при U„=10 В и Iк=3 А............35 - 100
- Модуль коэффициента передачи тока для ГТ905Б при Uк=10 В, Iа=0,5 А и f=20 МГц . . 3
- Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UКб=30 В, Iэ=0,03 А и f=10 МГц .... 300
- Ток коллектора, А: постоянный............. 3 импульсный при тимп=?20 мкс...... 7
- Ток базы, А: постоянный.............0,6 импульсный............. 1
- Обратный ток, мА: коллектора ..... ........ 2 эмиттера при UЭб = 0,4 В ........ 5
- Емкость коллектора, пФ, при UКб=30 В и f= 10 МГц................200
- Напряжение, В, в режиме насыщения при 1К= 3 А и I6=0,5 А: база — эмиттер . . ........... 0,7коллектор — эмиттер . ......... 0,5
- Напряжение Uкэ, В, при разомкнутой цепи базы и Iэ = 3 А.............. 65
- Напряжение Uкэ, В, для транзисторов: ГТ905А............... 75 ГТ905Б............... 60
- Напряжение Uкэ, В, на запертом транзисторе для ГТ905А при тимп = 20 икс ........ 130
- Общее тепловое сопротивление, °С/Вт , , . t50
- Мощность, Вт, рассеиваемая коллектором: с теплоотводом при Тк — — 55-+30°С ... 6 без теплоотвода при Гн== — 55-+25°С ... 1,2
- Температура перехода, °С......... 85
Транзисторы n-р-n КТ907 (А, Б) выпускают в металлокерамическом корпусе с винтом и жесткими выводами, массой 5,3 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические параметры приведены в табл. 125.
Параметры
|
Типы транзио торов
|
|
ГТ907А
|
ГТ907Б
|
|
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ=28 В, Iк= 400 мА и f=100 МГц
|
3,5
|
3
|
Постоянная времени цепи обратной связи, не, при Uк=т10 В Критический ток коллектора, мА, при Uкэ=10 В и f= 100 МГц
|
15 1000
|
25 800
|
Выходная мощность, Вт, при РВх=4 Вт, UKЭ = 28 В и f= 400 МГц
|
9
|
7
|
Емкость коллектора, пФ, при UКб — 30 В
|
20
|
20
|
- Начальный ток коллектора, мА, при UКэ = 60В, Rб=100 Ом и температуре среды 20 и 85 °С соответственно ............... 3 и 6
- Ток коллектора, А: постоянный............. 1 импульсный............. 3
- Обратный ток эмиттера, мкА, при Uбэ=4 В и температуре среды 20 и 85 °С соответственно . 350 и 700
- Ток базы, А .............. 0,4
- Напряжение Uн, В, при котором наступает пе реворот фазы базового тока, при Iэ=200 мАч . 40
- Напряжение UКэ, В, при Rб=100 Ом .... 60 Напряжение U9б, В.......... 4 Импульсное напряжение Uкв, В ..... - 70
- Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, при Tк=25 °С . . . . . ........ . . . 13,5
- Коэффициент полезного действия при £к=28 В и f=400 МГц, %............. 45
- Температура корпуса, °С ........ 85 Температура перехода, ЬС ......... 120
* При температуре корпуса от 25 до 85 °С мощновть, Вт, Pк.макс=( 120-T ксС)/7,5.
Транзисторы n-р-n КТ908 (А, Б) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125 °С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
- Статический коэффициент передачи тока при UK=2 В и Iк=10 А............. . 8 — 60
- Начальный ток коллектора, мА, при UКэ=100 В 25 Ток коллектора,- А............ 10
- Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=5 В ... 50 Ток базы, А............... 5
- Напряжение UM, В, в режиме насыщения при Iк= 10 А и Iб=2 А............. 1,5
- Напряжение UKa, В, при Т0= — 60-100°С для групп: КТ908А при Rб<10 Ом.......... 100 КТ908Б при Rб<250 Ом ......... 60 Напряжение U8о, В............ 5
- Граничная частота передачи тока, МГц .... 30 Мощность*, Вт, рассеиваемая коллектором, при Tн<50°С.................. 50 Температура перехода, °С.......... 150
* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Рк.макс=(150 — Tк)/2.
Транзисторы n-р-n КТ911 (А - Г) выпускают в металлическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры приведены в табл. 126
Параметры
|
Типы транзисторов
|
|||
|
КТ911А
|
КТ911Б
|
КТ9ИВ | КТ9ИГ
|
|
Модуль коэффициента пере* дачи тока при f=400 МГц, 1 U„=10 В и Iк=100 мА
|
1,5-5,2
|
2 - 3,8
|
2,5 - 5,2
|
2 -3,8
|
Постоянная времени цепи
|
25
|
25
|
50
|
103
|
обратной связи, пс, при
|
|
|
|
|
f=5 МГц, Uк=10 В и Iк=
|
|
|
|
|
= 30 мА
|
|
|
|
|
Критический ток коллекто-
|
170
|
150
|
160
|
140
|
ра, мА, при f=400 МГц
|
|
|
|
|
Выходная мощность, Вт,
|
|
|
|
|
при Uк =28 В и Рвх=
|
|
|
|
|
= 0,4 Вт на частоте, ГГц:
|
|
|
|
|
1,8
|
1
|
—
|
0,8
|
—
|
1
|
—
|
1
|
|
0,8
|
Ток коллектора, мА
|
400
|
400
|
400
|
400
|
Обратный ток коллектора,
|
|
|
|
|
мкА;
|
|
|
|
|
при Uкб =55 В
|
5
|
5
|
—
|
__
|
при Uкб =40 В
|
—
|
—
|
10
|
10
|
Обратный ток эмиттера,
|
2
|
2
|
2
|
2
|
мкА, при Uкб=3 В
|
|
|
|
|
Емкость коллектора, пФ,
|
3,5 — 10
|
3,5 — 10
|
3,5 — 10
|
3,5-10
|
при f=5 МГц и Uкб=
|
|
|
|
|
= 28 В
|
|
|
|
|
Напряжение UKB, В, . при
|
40
|
40
|
30
|
30
|
Напряжение UK6, В
|
55
|
55
|
40
|
40
|
Напряжение U3s, В
|
3
|
3
|
3
|
3
|
Мощность *, Вт, рассеивае-
|
3
|
3
|
3
|
3
|
мая коллектором при TК=
|
|
|
|
|
= — 40-+25°С
|
3
|
3
|
3
|
3
|
Температура корпуса, °С
|
85
|
85
|
85
|
85
|
Температура перехода, °С
|
120
|
120
|
120
|
120
|
* При температуре корпуса 25 - 85° С мощность, Вт, Рк.макс.=(120 - Tк)/33.