Главная » Транзисторы

Сверхвысокочастотные Транзисторы

 СверхвысокочастотныеТранзисторы

 

 при­меняются для работы в каскадах АРУ радиоприемных и телевизионных устройств метрового диапазона волн и выпускаются в метал­лическом корпусе с гибкими выводами массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до -f55°C. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 119.

Параметры
Типы транзисторов
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
Статический коэффициент передачи тока
20 — 200
40 — 200
10 — 50
Предельная частота передачи тока, МГц
400
300
300
Постоянная времени цепи обратной
связи, ПС, При Uкб = 10 В и Iэ= 2 мА
5
10
10

  •  Обратный ток коллектора, мкА, при UКб=15 В . 10 Предельно допустимый ток коллектора, мА . . « 10
  • Пробивное напряжение, В: Uкб.................. 15 Uэб при разомкнутой цепи коллектора .... 0,2
  • Емкость коллектора, пФ, при UКб=5 В .... 1,5 Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре 55 °С............. 45 
Транзисторы n-р-n ГТ329 (А — Г) выпускаются в металлическом герметичном корпусе с полосковыми выводами массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от - — 50 до +60 °С. Электри­ческие параметры транзисторов приведены в табл. 120. Таблица 120
Параметры
Типы транзисторов
 
 
ГТ329А
ГТ329Б
ГТ329В
ГТ329Г
Статический - коэффи­циент передачи тока базы при ик — 5 В и Iэ=5 мА
15 — 300
15 — 300
15 — 300
15 — 300
Модуль коэффициента передачи тока при UK=5 В, Iэ=5 мА, f=300 МГц
4,6
5,6
3,3
2,3 ;
Емкость, пФ. коллектора при Uкб=5 В и f=30 МГц
2
3
3
2
эмиттера при UЭб= 0,5 В и f=30 МГц
3,5
3,5
3,5
3,5
Обратный ток, мА:
 
 
 
 
коллектора при Uкб=10 В
5
5
5
5
эмиттера при UЭб=0,5 В
100
100
100
100
Постоянная времени це­пи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА и I=30 МГц
15
20
20
15
Напряжение Uas, В, при температуре среды 60 °С и Iэ овр =100 мкА
0,5
0,5
1
0,5
Напряжение Ukб, В Напряжение Uкэ, В, при Rб<1 кОм
10 5
10 5
10 5
10
5
Коэффициент шума, дБ, при Uк=5 В, Iэ=3 мА и f=400 МГц
4
6
6
5
Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт
50
50
50
50
*При температуре среды 40 — 60 °С мощность, мВт, Pк.макс=(80 — Tс)/0,8. 
Транзисторы р-n-р ГТ346 (А, Б) применяются для работы в селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона с АРУ и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +55°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл.
Параметры
Типы транзисторов
 
 
ГТ346А
ГТ346Б
Статический коэффициент передачи тока базы
10
10
при Uк=10 В и Iв=2 мА
 
 
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц и Iэ=2мА
7
5,5
Емкость коллектора, пФ, при UКб=5 В и f=
1,3
1,3
= 10 МГц
 
 
Обратный ток, мкА:
 
 
коллектора при Uк6=15 В
10
10
эмиттера при Uэа=0,3 В
100
100
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UK=10 В и Iэ=2 мА
3
5,5
Напряжение Uкэ, В, при Rб=5 кОм
15
15
Напряжение Uкб, В
15
15
Напряжение, Uэб, В
0,3
0,3
Коэффициент шума при Iэ=2 мА и f=800 МГц
8
 —
Граничная частота передачи тока, МГц
700
550
Ток коллектора, мА
10
10
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт
40
40
 Транзисторы n-р-n КТ325 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами массой 2,2 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже. 
 
КТ325А
КТ325Б
КТ325В
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В и Iэ=10 мА .
30 — 90
70 — 210
160 — 400
Модуль коэффициента . передачи тока при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=100 МГц .....
8
6
8
Емкость, пФ, при f= 10 МГц: коллектора при Uкв=5В ......
 
2,5
 
эмиттера при Uat=0 В ......
 
2,5
 
Обратный ток, мкА: коллектора при Uкб= 15 В .....
 
0,5
 
эмиттера при Uэб= 4В ......
1
Ток коллектора, мА .
60
Постоянная времени цепи обратной . связи, пс, при Uк=5 В, Iэ== 10 мА и f=100 МГц
125
Напряжение Uкэ, В, при Rб<3 кОм . , .
15
Напряжение Uк, Вг при котором наступает переворот фазы базово­го тока, при Iэ=1 мА .
15
Пробивное напряже­ние В: Uкб при отключенном эмиттере .....
15
Uэб при отключен­ном коллекторе . .
4
Мощность, мВт, рас­сеиваемая коллектором, при температуре, °С: 60 . . .....
225
125 .......
75
  •  Транзисторы р-n-р КТ326 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до -Н25°С. Электрические параметры, транзисторов приведены ниже.
  • Статический коэффициент передачи тока при UH=2 6, Iэ=10 мА: для КТ326А............20-70 для КТ326Б.............45-160
  • Емкость, пФ: коллектора при UКб=5 В и f=10 МГц ... 5 эмиттера при Uаб=Р В и f=10 МГц ... 4
  • Обратный ток, мкА: коллектора при UКб=20 В.......0,5 эмиттера при UЭб=4 В....... 0,1
  • Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=5 МГц ...... 450
  • Напряжение, В: Uкб при отключенном эмиттере ..... 20 U36 при отключенном коллекторе..... 4
  • Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=10 мА и Iб=1 мА: Uка................0,3 Uэб................ . 1,2
  • Граничная частота передачи тока, МГц, при UK=5 В и Iв = 10 мА...........400
  • Ток коллектора, мА.........., 50
  • Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при тем.пературе 30 °С..........200
* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт. Рк макс = (150-TС)/0,6. 
Транзисторы р-n-р КТ337 (А, Б, В) выпускаются в металличе­ском корпусе с гибкими выводами ,чмассой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до 4-85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены в табл.
Параметры
 
Типы транзисторов
КТ337А
КТ337Б
КТ337В
Статический коэффициент передачи
30 — 70
50 — 75
70 — 120
тока при Uк=0,3 В и Iэ=10 мА
 
 
—
Модуль коэффициента передачи тока
5
6
6
при f=100 МГц, Uк=5 В и Iэ=
 
 
 
= 10 мА
 
 
 
Емкость, пФ, при частоте 10 МГц:
 
 
 
коллектора при U„6=5 В
6
6
6
эмиттера при Uэб=0 В
8
8
8
Обратный ток, мкА:
 
 
 
коллектора при UКб=6 В
1
1
1
эмиттера при Uэо=4 В
5
5
5
Время рассасывания, не, при I61=
25
28
28
Iб2=1 мА, Iк=10 мА
 
 
 
  • Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА:UKa................ 0,2U69.................. .1
  • Напряжение UКб, В ......... . 6 Напряжение Uэб, В ............ 4 Напряжение Uкэ, В, при Rо<10 кОм ..... 6
  • Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм в Uкб=6 В................ 5
  • Ток коллектора, мА............ 30
  • Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт . . 150
  • Температура перехода, °С ......... 150
* При температуре среды более 30°С мощность, мВт, Рк.макс3 (150-TС)/0,6. , 
Транзисторы n-р-n КТ339 (А — Д) применяются для работы в выходных каскадах промежуточной частоты телевизионных прием­ников 1-го и 2-го классов и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами, массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисто­ров приведены в табл.
Параметры
Типы транзисторов
 
 
КТ339А
КТ339В
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
Статический ко-
эффициент пе­редачи тока при I9=7 В и UK= 10 В
25
 
15
 
25
 
40
 
15
 
Емкость коллек­тора, пФ
2
2
2
2
2
Обратный ток кол­лектора, мкА, при Uкб=40 В (для КТ339Б оно равно 25 В)
1
1
1
1
 
Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при f=5 МГц
25
25
50
100
150
Напряжение U«э, В Напряжение. Uкб, В Напряжение Uas, В Предельная частота передачи тока, МГц
25
40
4
 
300
12
25
4
 
200
25
40
4
 
450
25
40
4
 
250
25
40
4
 
250
  • Ток коллектора, мА, при температуре до 70 °С ...... . ....... 25
  • Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт ............... . 250
  • Температура перехода, °С .....* 120
* При повышении температуры от Б5 до 70 °С мощ­ность снижается линейно до 100 мВт. 
Транзисторы n-р-n КТ342 (А — Г) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами , массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл
Параметры
Типы транзисторов
КТ342А
КТ342Б
KT342B
КТ342Г
Статический коэффици-
100 — 250
200 — 500
400 — 1000
50 — 125
ент передачи тока при Iэ=7 мА и Uк=10 В Емкость коллектора,
8
8
8
8
пФ, при UK=5 В
 
 
 
 
Обратный ток, мкА, кол­лектора при напряже­нии коллектор — ба­за, В:
 
 
 
.
25 (КТ342А), 20 (КТ342Б),
0,5
0,5
0,5
0,5
15 (КТ342В)
 
 
 
 
и 25 (КТ342Г) Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=5 В
30
30
30
30
Напряжение UH9, В, при R6<10 кОм и темпе­ратуре среды, °С
 
 
 
 
от — 60 до +100
30
25
10
60
125
25
20
10
45
Напряжение Uкэ, В, при нулевом токе базы, Iэ=5 мА и температу­ре от — 60 до +100°С
25
20
10
25
Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iи=10 мА и. Iб=1 мА. коллектора
0,1
0,1
0,1
0,2
эмиттера
0,9
0,9
0,9
1,1
Граничная частота пере­дачи тока, МГц
300
300
300
300
Ток коллектора, мА
50
50
50
50
Импульсный ток коллек­тора, мА
300
300
300
300
Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт
250
250
250
250
* При температуре среды выше 26 °С мощность, мВт, Pк.макс=150. 
Транзисторы р-n-р КТ345 (А, Б, В) выпускаются в пластмассо­вом корпусе с гибкими выводами массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до +85°С
Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже
  • Статический коэффициент передачи тока при UK=1 В и Iэ=100 мА для транзисторов: КТ345А .............. 20 — 60 КТ345Б............... 50 — 85 КТ345В .............. 70 — 105
  • Модуль коэффициента передачи тока при f= = 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА...... 3,5
  • Емкость, пФ: коллектора при f=1-10 МГц и Uкв=5 В . 15 эмиттера при f=5-4-10 МГц и Uэб=0 В . . 30
  • Обратный ток, мкА: коллектора при UK6=20 В....... I эмиттера при Uаб=4 В........ 1 Напряжение Uкб, В........... 20
  • Напряжение UKa, В.......... 20 Напряжение Uэв, В........... 4
  • Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 100 мА и Iб=10 мА: Uкэ................ 0,14 — 0,3Uба ................ 0,92 — 1.1
  • Ток коллектора, мА- постоянный............. 200 импульсный ............ 300
  • Мощность*, мВт, рассеиваемая коллектором: постоянная............. 100импульсная............. 300
  • Температура перехода, °С........ 150
  • Тепловое сопротивление переход — окружающая среда, °С/мВт............. 1,1
* При температуре среды выше 40 °С мощность, мВт, РКМЛКс,= (150 — Tс)/1,1 
Транзисторы р-n-р КТ363 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами, массой 0,5 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 40 до +85 °С Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже
 
КТ363А
КТ363В
Статический коэффициент пе­редачи тока при Uк=5 В и Iэ=5 мА
20 — 70
40 — 120
Емкость коллектора, пФ, при Uкб=5 В и f=10 МГц .....
2
2
Модуль коэффициента передачи то­ка при f=100 МГц и Iэ = 5 мА
12
15
Граничная частота передачи тока, МГц ........ ....
1200
1500
Постоянная времени цепи обрат­ной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА
Время рассасывания, не, при Iк=10 мА и токе первой базы: 1 мА ...........
50 10
75
 
0,5 мА ....... ...
 —
5
 
Обратный ток, мкА коллектора при UКб=15 В . .
0,5
 
эмиттера при UЭб=4 В ...
0,5
 
Ток коллектора, мА: постоянный
30
 
ИМПУЛЬСНЫЙ При Тимп=1 МКС и скважности более 2 .....
50
 
Напряжение, В, в режиме насыще­ния при Iк=10 мА и I6=1 мА: Uкэ ...........
0,35
 
Uвэ ...........
1,1
 
Напряжение Uкб, В ..... 
15
 
Напряжение Uаб, В .....
4
 
Мощность *, рассеиваемая коллек­тором, мВт . . .. .......
150
 
* При температуре среды выше 45 °С мощность, мВт, ркм&кс — =(150-Tс)/0.7.