В основном кристалле полупроводника создана область проти­воположного типа проводимости — дырочной (р-типа), которая вы­полняет функции управляющего электрода и называется затвором 3. Между затвором и основным кристаллом возникает р-n-переход, а в самом кристалле создается уз­кий, канал К. (n-типа) для дви­жения основных носителей заря­да — электронов. Сечение канала зависит от напряжения на затворе. Обычно к затвору подводится по­стоянное обратное напряжение смещения Е3 (минус подключен к р-, а плюс — к n-области). Меж­ду затвором и истоком подключа­ют источник переменного напря­жения сигнала Ucmsinwt, которое требуется усилить. При отсутствии сигнала на входе основные носители заряда — электроны под действием ускоряю­щего поля дрейфуют в канале от истока к стоку, создавая ток в кристалле. Этот ток определяется напряжением стока и сопротивлением канала, зависящим от его сечения. Если одновременно с напряжением смещения Еэ в цепь затво­ра подается переменное напряжение сигнала, результирующий по­тенциал на р-я-переходе изменяется U3= — Ea+Ucm sin wt. При этом будет изменяться ширина p-n-перехода, что вызовет изменение се­чения канала, а следовательно, и его проводимости. В результате напряжение сигнала модулирует сечение канала, управляя током в канале и нагрузке. Таким образом, в полевых транзисторах с уп­равляющим р-гс-переходом под действием поля внешнего источника изменяется сечение токопроводящего канала. Транзисторы МДП с изолированным затвором (со структурой металл — диэлектрик — полупроводник) и МОП (со структурой металл — оксид — полупроводник) имеют один или несколько затворов, электрически изолированных от токопроводящего канала, который может быть встроенным или индуцированным. В прибо­рах со встроенным каналом К основой служит пластин­ка слаболегированного кремния р-типа проводимости. Области стока С и истока И, обладающие проводимостью я+-типа, соединены встроенным каналом — узкой слаболегированной областью кремния проводимостью n-типа. Затвор 3 представляет собой металлический слой, изолированный от канала тонким диэлектриком. При подаче на затвор переменного напряжения сигнала проис­ходит изменение проводимости канала и проходящего через него тока. Так, при отрицательном напряжении на затворе электроны вытесняются из области канала в объем полупроводника р-типа. Канал обедняется носителями заряда и его проводимость уменьша­ется. При подаче на затвор положительного напряжения проис­ходит обогащение канала электронами и его проводимость возра­стает. Полевой транзистор с изолированным затвором в отличие от полевого транзистора с управляющим p-n-переходом может ра­ботать с нулевым, отрицательным или положительным смещением. Другим важным преимуществом полевых транзисторов с изолированным затвором является большое (до 100 ГОм) входное сопро­тивление, которое определяется изолирующей прослойкой между затвором и истоком. Кроме параметров режима, присущих бипо­лярным транзисторам, полевые транзисторы характеризуются также следующим рядом параметров постоянного тока. Ток утечки затвора IЗ.ут — ток в цепи затвора при заданном напряжении. Полевые транзисторы с управляющим р-я-переходом обычно имеют ток IЗ.ут, равный нескольким наноамперам, а с изолированным затвором — нескольким пикоамперам. Ток утечки затвора является неуправляемым током, который растет с увели­чением температуры. Чем меньше этот ток, тем лучше качество транзистора.

Начальный ток стока Iс.нач, — ток в цепи стока при заданном напряжении на стоке и напряжении на затворе, равном нулю Напряжение отсечки Uзи.0тс — напряжение на затворе при ко­тором ток в цепи стока достигает заданного низкого значения (тран­зистор закрывается). В полевых транзисторах с индуцированным каналом ток в цепи стока появляется лишь при образовании кана­ла при некотором пороговом напряжении на затворе UПОР

Кремниевые полевые транзисторы КП103(Е, Ж, И, К, Л, М) имеют р-л-переход и канал р-типа и выпускаются в металлическом или пластмассовом корпусе массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +85 °С, Электрические параметры транзисторов приведены в табл.

Параметры	Типы транзисторов
	КП103Е	КП103Ж	КП103И	КП103К	КШОЗЛ	КП103М
Ток стока, мА	0,3 —	0,3 —	0,4-4	1 — 5,5	2,7-	3 — 12,
при Уси = 10 В и Лш=0 В	2,5	3,8			10,5
Крутизна ха- рактеристи- ки тока сто- ка, мА/В	0,4 — 2,4	0,5- 2,8	0,6 — 2,9	1 — 3	1,2- 4,2	1,3-4,4
Напряжение отсечки, В, При Uca = =10 В, Iс = = 10 мкА и Узи=0 В	0,4- 1,5	0,5 — 2,2	0,8-3	1,4 — 4	2 — 6	2,8-7
Суммарное на- пряжение	15	15	15	J5	17	17

• Напряжение Uси *, В . .........., . 10 Ток затвора, нА, при UЭи = 10 В и Uси = 0 В . . . .20 Коэффициент шума, дБ, при Uзи=0 В, Uси = 5 В и f=1 кГц.................. 3
• Емкость, пФ, при Uси = 10 В и Uзи — О В:входная .......... 20 проходная ..... ....... 8Мощность рассеивания, мВт ......... 120

Кремниевые полевые транзисторы КП301Б представляют собой МОП-структуры с изолированным затвором 3 и индуцированным каналом р-типа и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами с диапазоном рабочих температур от — 40 до +70 °С. Напряжение на стоке отрицательное относительно исто­ка и подложки, на затворе — также отрицательное. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.  

Кремниевые полевые транзисторы КП302 (А, Б, В) с р-n-пере-ходом и каналом n-типа выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами массой 1,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 70 до +100°С. Напряжение на стоке положитель­ное относительно истока, а на затворе — отрицательное. Электричес­кие параметры приведены в .табл.

Кремниевые полевые транзисторы КП303 (А — И) выпускают с p-n-переходом и каналом n-типа в металлическом корпусе с гиб­кими выводами массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85 °С. Напряжение на стоке положительное относительно истока, на затворе — отрицательное. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 

* При температуре среды от 25 до 85°С мощность, мВт, Р макс — =200 — 1,6(ГС — 25). 

 

Кремниевые полевые транзисторы КП305 (А, Е, Ж, И), имеющие МОП-структуру с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа, выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Напряжение на стоке положительное относительно исто­ка, на затворе — отрицательное. Электрические параметры транзи­сторов приведены в табл

 Таблица 131

 Кремниевые полевые транзисторы КП306 (А, Б, В), имеющие МОП-структуру с двумя изолированными затворами и встроенным каналом n-типа (исток и подложка соединены с корпусом), выпус­кают в металлическом корпусе с гибкими выводами массой 1 г; с диапазоном рабочих температур .от — 60 до -j-125°C. Электрические параметры приведены в табл. 131.

 Кремниевые полевые транзисторы КП350 (А, Б, В), имеющие МОП-структуру с двумя изолированными затворами и встроенным каналом я-типа, выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами, д), массой 1 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 40 до +85 °С. Напряжение на стоке положительное относительно истока, на затворах — отрицательное. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.