.

Классификация и обозначение транзисторов.

Классификация и обозначение транзисторов.
 
 

По функциональному назначению транзисторы в радиоэлект­ронных схемах делят: на

  • двухпереходные биполярные (усилительные, импульсные;
  • малошумящие, высоковольтные, фототранзисторы);
  • полевые (униполярные) с каналом и управляющим затвором в ви­де p-n-перехода, с встроенным или индуцированным каналом и изо­лированным затвором
Кроме того, транзисторы различают по мощ­ности и частоте.
По максимальной мощности Ркмакс, рассеиваемой коллектором, различают транзисторы
  •  малой,
  • средней 
  • большой мощности,
а по частоте — на
  • низкочастотные,
  • среднечастотные,
  • высокочастотные 
  • сверхвысокочастотные.

В настоящее время действует система обозначения транзисторов, состоящая из четырех элементов

  • Первый элемент — буква или циф­ра, обозначающая материал
    •  Г или 1 — германий или его соедине­ния;
    • К или 2 — кремний или его соединения;
    • А или 3 — соединения галлия
  • второй элемент — буква, указывающая класс прибора
    • Т — биполярные транзисторы;
    • П — полевые транзисторы
  • третий элемент — цифра, указывающая назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки в соответствии с табл. 107;
  • четвертый элемент — буква, означающая разновидность типа (деление на параметрические группы).
Примеры обозначений: КТ324А — кремниевый маломощный вы­сокочастотный транзистор, разновидность А; ГТ905Б — германиевый большой мощности высокочастотный транзистор, разновидность Б. 
Таблица 107

Частота транзистора, МГц
Третий элемент обозначения транзисторов при мощности, Вт, рассеиваемой коллек­тором
малой (До 0,3)
средней (от 0,3 до 1,5)
большой (более 1,5)
Низкая (до 3)
101 — 199
401 — 499
701 — 799
Средняя (от 3 до 30)
201 — 299
501 — 599
801 — 899
Высокая (от 30 до 300) ] Сверхвысокая (выше 300)
301 — 399
601 — 699
901 — 999

Обозначение транзисторов, разработанных до 1964 г, состоит из трех элементов
  • Первый элемент — буква (транзистор);
  • второй элемент — число, указывающее назначение и качественные свойства, а также порядковый номер разработки транзистора в соответствии с табл. 108,
  • третий элемент — буква, означающая разновидность Типа прибора.
При монтаже транзисторов необходимо соблюдать следующие правила
Крепление транзисторов производят за корпус. Изгиб внешних выводов выполняют не ближе 10 мм от проходного изолятора (ес­ли нет других указаний), изгиб жестких выводов мощных транзи­сторов запрещается.
Пайку выводов осуществляют не ближе 10 мм от корпуса при­бора. При этом мощность паяльника должна быть не более 60 Вт, время пайки — не более 3 с, а температура — не выше 200 °С. В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока че­рез транзистор и обеспечить надежный теплоотвод. 
Таблица 108

Частота транзи­стора, МГц
Второй элемент обозначения транзисторов при мощности рассеивания, Вт
германиевых
кремниевых
до 0,25 (малая)
более 0,25 (большая)
до 0,25 (малая)
более 0,25 (большая)
Низкая (до 5)
1 — 99
201 — 299
101 — 199
301 — 399
Высокая (более 5)
401 — 499
601 — 699
501 — 599
701 — 799

Транзисторы нельзя располагать вблизи тепловыделяющих эле-ментов (сетевых трансформаторов, мощных резисторов), а также в сильных электромагнитных полях.
При эксплуатации транзисторов надо выполнять следующие правила.
Полярность напряжения внешнего источника питания, подклю­чаемого к электродам транзистора, следует выбирать с учетом струк­туры транзистора и его рабочей схемы. При подключении транзи­стора к источнику питания первым присоединяют вывод базы, по­следним — вывод коллектора, а при отключении — в обратном по­рядке. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отклю­ченной базой. Для увеличения надежности и долговечности приборов рабочие надряжечия, гоки, мощность и температуру необходимо выбирать меньше предельно допустимых (около 0,7 их значений). Не разре­шается использовать транзисторы в совмещенных предельных ре­жимах хотя бы по двум параметрам (например, по току и напря­жению). С целью защиты транзисторов от перенапряжений в их схемы включают стабилизирующие, демпфирующие и ограничивающие ди­оды. Недопустима проверка схем на полупроводниковых приборах омметрами или другими приборами, могущими создавать перегруз­ки для диодов, транзисторов.