Полевые транзисторы с управляющим р-н переходом
Вскоре после разработки биполярных транзисторов появились полевые транзисторы с управляющим переходом. Их можно представить (условно) в виде тонкой полупроводниковой пластины с расположенным в середине ее управляющим р-n переходом. Толщина области объемного заряда р—n перехода зависит от обратного напряжения на нем. А это приводит к изменению поперечною сечения канала — тонкой области полупроводника управляющим р—п переходом.
Семейство выходных ВАХ полевых транзисторов этого типа, их входная и передаточная характеристики качественно очень напоминают соответствующие характеристики лампы-пентода. И это не случайно — оба класса приборов используют полевые механизмы управления исходным током. Однако долгое время полевые транзисторы с управляющим р—n переходом оставались маломощными и низковольтными приборами.