.

Разновидности и режимы работы полевых транзисторов

Полевыми транзисторами (ПТ) называются полупроводниковые приборы, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, т.е. практически без затраты мощности управляющего сигнала. В англоязычной литературе эти транзисторы называют транзисторами типа FET (FieldEffectTransistor).
Различают шесть различных типов ПТ. Их условные обозначения в электрических схемах представлены на рис.8.1.
Управляющим электродом ПТ является затвор З. Он позволяет управлять величиной сопротивления между стоком С и истоком И (область полупроводника между С и И называют каналом). Управляющим напряжением является напряжение UЗИ. Большинство ПТ являются симметричными, т.е. их свойства почти не изменяются, если их электроды С и И поменять местами. В транзисторах с управляющим переходом затвор отделен от канала СИ p-n переходом. При правильной полярности напряжения UЗИp-n переход запирается, и изолирует затвор от канала; при противоположной полярности он открывается. Для ПТ с управляющим переходом такой режим является запрещенным. 

Рис.8.1. Разновидности полевых транзисторов. 
У ПТ с изолированным затвором, или МОП транзисторов (МОП – металл-оксид-полупроводник) затвор отделен от канала СИ тонким слоем диэлектрика. При таком исполнении транзистора ток через затвор не будет протекать при любой полярности напряжения на затворе. Входные сопротивления ПТ с управляющим переходом составляют от 1010 до 1013 Ом, а для МОП транзисторов – от 1013 до 1015 Ом. В МОП транзисторах присутствует четвертый вывод от так называемой подложки. Этот электрод, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но он отделен от канала только p-n переходом. Управляющие свойства подложки обычно не используются, а ее вывод соединяют с выводом истока.
Аналогично делению биполярных транзисторов на p-n-p и n-p-n-транзисторы, полевые транзисторы делятся на p-канальные и n-канальные. У n-канальных ПТ ток канала становится тем меньше, чем меньше потенциал затвора. У p-канальных ПТ наблюдается обратное явление.
Типовые передаточные характеристики ПТ приведены на рис. 8.2. Пользуясь этими характеристиками, можно установить полярность управляющего напряжения, направление тока в канале и диапазон управляющего напряжения.
Рассмотрим некоторые особенности этих характеристик. Все характеристики ПТ с каналом n-типа расположены в верхней половине графика и, следовательно, имеют положительный ток, что соответствует положительному напряжению на стоке. Наоборот, все характеристики приборов с каналом p-типа расположены в нижней половине графика и, следовательно, имеют отрицательное значение тока и отрицательное напряжение на стоке. Характеристики ПТ с управляющим переходом при нулевом напряжении на затворе имеют максимальное значение тока, которое называется IС НАЧ.При увеличении запирающего напряжения ток стока уменьшается и при напряжении отсечки UОТС становится близким к нулю.
Характеристики МОП транзисторов с индуцированным каналом при нулевом напряжении на затворе имеют нулевой ток. Появление тока стока в таких транзисторах происходит при напряжении на затворе больше порогового значения UПОР. Увеличение напряжения на затворе приводит к увеличению тока стока.
Характеристики МОП транзистора со встроенным каналом при нулевом напряжении на затворе имеют начальное значение тока IС НАЧ.Такие транзисторы могут работать как в режиме обогащения, так и режиме обеднения. При увеличении напряжения на затворе канал обогащается и ток стока растет, а при уменьшении напряжения на затворе канал обедняется и ток стока снижается. 
Рис.8.2. Типовые передаточные характеристики ПТ 
Карта входных и выходных напряжений при заземленном истоке (рис.8.3) помогает разобраться в ситуации.
Различные транзисторы, включая биполярные, нарисованы в квадрантах, характеризующих их входное и выходное напряжение в активной области при заземленном истоке (или эмиттере). При этом вовсе не обязательно запоминать свойства каждого из шести представленных здесь типов ПТ, поскольку они в основном все одинаковы.
Во-первых, при заземленном истоке ПТ включается (переходит в проводящее состояние) путем смещения напряжения затвора в сторону напряжения питания стока. Это верно как для всех видов ПТ, так и для биполярных транзисторов. Например, для n-канального ПТ с управляющим p-n переходом используется положительное напряжение питания стока, как и для всех n-канальных приборов. Таким образом, этот ПТ включается положительным смещением затвора. Во-вторых, в связи с примерной симметрией истока и стока любой из этих выводов может работать как исток. При анализе работа ПТ за исток принимается вывод, наиболее «удаленный» по напряжению от активного питания стока. 

Рис.8.3. Карта входных и выходных полярностей транзисторов. 
         На рис.8.4 приведены выходные вольт-амперные характеристики ПТ с управляющим переходом с каналом n-типа. Характеристики других типов транзисторов имеют аналогичный вид, но отличаются напряжением на затворе и полярностью приложенных напряжений. На этих вольт-амперных характеристиках можно выделить две области: линейную и насыщения.
Рис.8.4. Выходные характеристики ПТ с управляющим переходом и каналом n-типа
 В линейной области вольт-амперные характеристики вплоть до точки перегиба представляют собой прямые линии, наклон которых зависит от напряжения на затворе. В области насыщения вольт-амперные характеристики идут практически горизонтально, что позволяет говорить о независимости тока стока от напряжения на стоке. Особенности этих характеристик обусловливают применение ПТ. В линейной области ПТ используют как сопротивление, управляемое напряжением на затворе, а в области насыщения – как усилительный элемент.