Можно согласиться, что лампы существенно менее нелинейные активные приборы, чем биполярные транзисторы. Долгое время они были  и существенно более высоковольтными приборами. Имеют также квадратичные (а иногда и еще более линей­ные) передаточные характеристики. Их входные цепи тоже не потребляют тока.

Как уже отмечалось, по уровням рабочих напряже­ний (сотни вольт) они достигли уровня электронных памп (а по уровням токов — десятки ампер — заметно их превосходят). Есть полевые транзисторы с пентодными (МДП-приборы со структурой «металл — диэлектрик — проводник») и триодными (СИТ — полевые транзисторы со  статической индукцией) семействами их вольтамперными  характеристик.

Сопоставляя современные полевые транзисторы, можно сказать, что между ними нет никакой разницы, которая меняла бы принцип усиления сигналов звуковых частот. Современные полевые транзисто­ры - это твердотельные аналоги ламп. Как и лампы, они используют полевой принцип управления, даже теоретический анализ тех и других имеет много общего и опирается на одни и те же уравнения теоретической физики. В частности, практически идентичными оказываются уравнения, описывающие вольтамперные ха­рактеристики полевых транзисторов и ламп — они близ­ки к квадратичным.

Ни движение электронов в вакууме лампы, ни их (или дырок) движение в объеме полупроводника не имеют никакой прямой аналогии с перемещением частиц воздуха в звуковых волнах, так что говорить о преимуществах ламп перед транзисторами при всех известных видах характерис­тик тех и других по большому счету бесполезно. Более того, размеры активной области даже у самых мощных полевых транзисторов намного меньше, чем у ламп. Поэтому време­на перемещения в них носителей гораздо меньше — не случайно по быстродействию полевые транзисторы намно­го превосходят даже самые лучшие приемно-усилительные лампы.

Крутизна современных мощных полевых транзисто­ров (до 10 А/В) намного превосходит крутизну приемно-усилительных ламп для оконечных усилителей (у них она порядка десятков мА/В). В сочетании с повышенными выходными токами это облегчает согласование схем на мощных полевых транзисторах с низкоомной нагрузкой и позволяет строить простые схемы усилителей мощности с гальваническим подключением нагрузки. Способствует этому и наличие наряду с n-канальными полевыми тран­зисторами р-канальным (т. е. существование комплемен­тарных приборов).

Поэтому есть все основания полагать, что именно мощные полевые транзисторы являются наиболее пер­спективными приборами для создания Hi-Fi и High-End бытовых электроакустических систем с «ламповым» ка­чеством звучания и умеренными ценами. Этот вывод подтверждается и мировым опытом разработки таких устройств — многие типы оконечных усилителей высших классов ведущих фирм мира (например, Sony и др.) уже строятся целиком на полевых транзисторах. Обладая «лам­повыми» свойствами, эти приборы сохраняют все преиму­щества транзисторов — малые габариты, отсутствие нака­ла, высокую надежность и долговечность, повышенные энергетические показатели.