Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения.

 

Схема включения фоторезистора приведена на рис.6.7. Полярность источника питания не играет роли.

Если облучения нет, фоторезистор имеет некоторое большое сопротивление RТ, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторезистора и составляет 104 – 107Ом. Соответствующий ток через фоторезистор называют темновым током. При действии излучения на фоторезистор его сопротивление уменьшается.

Фоторезисторы характеризуются удельной чувствительностью S, т.е. интегральной чувствительностью (отношение фототока к вызвавшему его потоку белого света) S=I/(ФU), где Ф – световой поток.

Обычно удельная чувствительность составляет несколько сотен или тысяч микроампер на вольт-люмен.

Фоторезисторы имеют линейную вольт-амперную и нелинейную энергетическую характеристику (рис.6.8). К параметрам фоторезисторов относятся также максимальное допустимое напряжение (до 600В), кратность изменения сопротивления, температурный коэффициент фототока.

 

К недостаткам фоторезисторов следует отнести значительную зависимость сопротивления от температуры, большую инерционность и значительный уровень собственных шумов.