.

Одно и многополосные колонки

Обычно в колонках применяется не один излучатель. Связано это не столько с трудностью получения нужной ширины воспроизводимых частот (широкополосные ди­намики с дополнительным ВЧ-диффузором известны дав­но), а с трудностью получения малой неравномерности АЧХ. При одном динамике неравномерность АЧХ звуко­вых колонок весьма ощутима — она обычно доходит до 15—20 дБ. Лишь в особо качественных и дорогих колонках эту неравномерность удается снизить до нескольких де­цибел.

Взаимное расположение излучателей

Заслуживает внимания и взаимное расположение из­лучателей в колонке. Когда колонки используются в стереофонических, квадрафонических и иных системах многоканального звуковоспроизведения, большое значе­ние имеет синфазность излучения отдельных излучате­лей, определяющая точность пространственного воспро­изведения отдельных инструментов и исполнителей. Уже отмечалось, что излучающие поверхности излучателей должны лежать в одной плоскости. Однако важно и их расположение в этой плоскости.

Разработчики высококачественных колонок пришли к выводу, что оптимальным является расположение излучателей строго в ряд. Так же желательно располагать отверстие фазоинвертора.

В честь полевых транзисторов

Можно согласиться, что лампы существенно менее нелинейные активные приборы, чем биполярные транзисторы. Долгое время они были  и существенно более высоковольтными приборами. Имеют также квадратичные (а иногда и еще более линей­ные) передаточные характеристики. Их входные цепи тоже не потребляют тока.

ЧТО ТАКОЕ HI-FI И HIGH-END

Высокое качество звуковоспроизведения долгое время называлось сокращением Hi-Fi, происходящим от слов High Fidelity (Высокая Верность). Требования к Hi-Fi устройствам были не очень высоки, что привело к некото­рому недоверию к разработанному стандарту на Hi-Fi устройства со стороны наиболее требовательных мелома­нов.

Интегральные схемы

Маломощные транзисторы (как биполярные, так и М более полевые) могут иметь ничтожные размеры — до долей микрона без корпуса. Это создало предпосылки к появлению нового направления электроники — микро­электроники.

СЧ-динамики

Динамики СЧ (среднечастотные) по конструкции мало отличаются от НЧ-динамиков — это как бы уменьшенные их копии. Они имеют диффузор диаметром (примерно) от 40 до100 мм. Основное внимание в конструировании СЧ-динамиков уделяется повышению их звуковой отдачи и уменьшению нелинейных искажений. Этому благоприятствует значительно меньшая амплитуда колебаний диффузора и легкость получения резонансных частот, приемлемых для воспроизведения средних частот.

Разработка и конструирование среднечастотных динамиков является, наверное, одной из важнейших задач при производстве акустической системы. 

Специальные типы излучателей

 К высококачественным громкоговорителям относятся электростатические громкоговорители, ласково именуемые электростатами. Однако пока они применяются лишь в дорогих колонках класса Hi-Fi и High-End. У них есть проблемы с воспроизведением низких частот. Принцип дей­ствия их прост — притяжение плоской мембраны к наряженной пластине. Увы, для заметного проявления этого эффекта приходится использовать очень высокие напряжения — примерно до 10 кВ.

Как выглядят идеальные АЧХ и ФЧХ

Во всех аудио- и видеоустройствах происходят различ­ные преобразования спектров сигналов. При этом такие устройства принято подразделять на линейные и нелинейные. Линейные устройства сохраняют пропорциональ­ность между амплитудами любых гармоник на входе и выходе устройств. Это означает, что спектральный состав сигналов на их выходе тот же, что и на входе (хотя амплитуды и фазы гармоник могут меняться по-разному).

Полевые транзисторы со структурой «металл - диэлектрик - полупроводник»

 Исследования показали, что управлять проводимостью тонкой полупроводниковой пластины можно и с по­мощью проводящего электрода — затвора, расположенно­го очень близко от пластины (расстояние в доли микрона). Для получения такого малого расстояния между затвором и полупроводниковой областью располагается тонкий слой диэлектрика. Поэтому эти приборы называют полевыми транзисторами МДП-типа (от первых букв полного назва­ния «металл — диэлектрик — полупроводник»).

Полевые транзисторы с управляющим р-н переходом

 Вскоре после разработки биполярных транзисторов появились полевые транзисторы с управляющим перехо­дом. Их можно представить (условно) в виде тонкой полупроводниковой пластины с расположенным в сере­дине ее управляющим р-n переходом. Толщина области объемного заряда р—n перехода зависит от обратного напряжения на нем. А это приводит к изменению попереч­ною сечения канала — тонкой области полупроводника управляющим р—п переходом.