.

Транзисторы большой мощности

Транзисторы большой мощности
Низкочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ703 (А — Д) применяют для работы в выходных каскадах УНЧ и выпускают в металличес­ком герметичном корпусе массой 15 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +55 °С.
Электрические параметры транзисторов поиведены ниже. 

 
ГТ703А
ГТ703Б
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ703Д
Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Uк=1 В, Iк=50 мА
30-70
50 — 100
30 — 70
50 — 100
20-45
Ток коллектору, А, в диапазоне ра­бочей темпера­туры ......
 
 
3,5
 
 
Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=10 В . .
 
 
50
 
 
Предельная ча­стота передачи тока, кГц, в схеме с ОЭ при UK=2 В и Iк=0,5 А ...
 
 
10
 
 
Обратный ток коллектора *, мкА
 
 
500
 
 
Напряжение Uкэ, В, при Rб=50 Ом и Тк=55 °С .....
20
20
30
30
40
Напряжение Uкэ, В, в режиме насыщения при Iк=3 А ....
 
 
0,6
 
 
Напряжение Uбэ, В, в режиме насыщения ** при Iк=3 А . , . ,
 
 
1
 
 
Мощность, рас­сеиваемая кол­лектором, Вт:
 
с теплоотводом TК<409С . .
15
без теплоот­вода
1,6
Тепловое со­противление пере- ход — корпус,
°С/Вт .....
 3
Температура пе­рехода, °С . . .
85

* При напряжении коллектор — база, В, для групп ГТ703: 20 (А, Б), 80 (В! Г, Д). .
** При токе базы, мА, для групп ГТ703: 150 (А, Б), 90 (Б, Г) и 225 (Д). *** При температуре корпуса выше 40 °С мощность, Вт, Ркмакс= -=(85-Гс°С)/3. 
Транзисторы n-р-n КТ704 (А, Б, В) применяют для работы в схемах строчной развертки цветных телевизоров и выпускают в ме­таллическом корпусе с монтажным винтом и жесткими выводами массой 15,5 г. Электрические параметры приведены ниже. 

 
ГТ704А
ГТ704Б
ГТ704В
Статический коэффициент передачи тока при UK= 15 В и Iэ=1 А ....
15
15
15
Модуль коэффициента пе­редачи тока при f= 1 МГц Uк=10 В и Iк=0,1 А .. . .
3
3
3
Ток коллектора, А: постоянный при Тк= +50°С
 
2,5
 
 Импульсный, А .......
 
4
 
Начальный ток коллекто­ра, мА ........
 
5
 
Обратный ток эмиттера, мА, при Uб=4 В . . . .
 
100
 
Импульсное напряжение UK3, В, при Rб<10 Ом, гимп=10 мс и Q<50 . . .
1000
700
500
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=2 Аи 7б=1,5А: база — эмиттер . . ,
 
3
 
коллектор — эмиттер
 
5
 
Постоянное напряжение
икэ, в ........
 
200
 
Напряжение UЭб, В . ,
 
4
 
Ток базы, А ..... Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при Tй= - + 50°С . ......
 
2 15
 
Граничная частота пере­дачи тока, МГц ... . .
 
3
 
Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт .
 
5
 
Температура корпуса, °С
 
100
 
Температура перехода, °С
 
125
 

 Среднечастотные. Транзисторы n-р-n КТ805 (А, Б) применяют для работы в выходных каскадах строчной развертки телевизоров, схемах зажигания автотракторных двигателей и выпускают в ме­таллическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68, а), массой 25 г (без накидного фланца) и 10 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +100°С. Электрические параметры транзисторов приве­дены ниже. 

 
КТ805А
КТ805Б
Статический коэффициент переда­чи тока при Uк=10 В и Iк=2 А при +20 и — 55 °С соответственно . . .
15 и 5
Модуль коэффициента передачи тока при ,Uк= 10 В, Iк=1 А и f= 10 МГц .......... .
2
 
Ток коллектора, А .......
5
Импульсный ток коллектора, А,
 
 
при Тимп=200 мкс и скважности 1,5
8
Импульсный начальный ток коллек­тора, мА, при Rб=10 Ом при 20 и 100°С соответственно ......
60 и 70
 
Обратный ток коллектора, мкА, при UK6 — 5 В .........
100
 
Ток базы, А . . .......
2
Импульсный ток базы, А, при тимп<20 мкс .........
2,5
Напряжения насыщения Uбэ и UMt
 
 
В, при Iк=5 А и I6=0,5 А ....
Импульсное напряжение UK3 *, В, при tИМП<500 мкс с фронтом нара­стания тфн<15 ,мкс, Rб=10 Ом и Tп<1000С .
2,5
 
 
160
5
 
 
135
Напряжение UЭб, В .....
5
 
Мощность **, Вт, рассеиваемая коллектором, при ГК<500С . . .
30
Температура перехода, °С . . .
150

* В схеме строчной развертки телевизора для КТ805А импульсное напряжение Uкэ допускается 180 В при тимп<15 мкс и ТК<70°С. В диапазоне температур от 100 до 150 °С Uкэ снижается на 10% на каждые 10 °С от значения UK3 при 100 °С.
** В диапазоне температур от 50 до 100 °С мощность, Вт, Рк макс= «=(150-TК°С)/3,3.
Транзисторы р-n-р ГТ806 (А — Д) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами массой 28 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 55 до +55 °С. Электрические парамет­ры приведены ниже.

 
ГТ806А
ГТ806Б
ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Iк=10 А ....
10 — 100
10 — 100
10 — 100
10 — 100
10 — 100
Напряжение Uкб, В . ...»
75
100
120
50
140
Напряжение Uкэ, В, запертого транзистора при
Uбэ=1 В ....
100
120
50
140
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк== 15 А, Iб=2 А:
 
 
коллектор — эмиттер . . .
0,6
 
база — эмит­тер ....
1
 
Напряжение
Uэб, В .....
1,5
 
Ток коллектора в режиме насыще­ния, А ....
.15
 
Ток коллектора запертого тран-зистора7 мА, при Uбэ=1 В и пре­дельно допусти­мых напряжени­ях UКЭ
15
 
Ток базы, А . .
3
 
Обратный ток эмиттера, мА, при Uэб = 1,5 В ...
8
 
Предельная ча­стота передачи то­ка, МГц, при UK= 5 В, Iк=1 А . .
10
 
Тепловое со­противление пе­реход — корпус, сС/Вт .....
2
 
Мощность, Вт, рассеиваемая кол­лектором, при тем­пературе корпуса, °С: 30 .....
30
 
55 .....
15 ,
 
Температура пе­рехода, °С . . ,
85
 
Время переклю­чения. МКС . . .
5
 

  •  Транзистор n-р-n КТ808А выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до тЫОО°С, Электрические параметры приведены ниже.
  • Статический коэффициент передачи тока при Uк=3 В и Iк=6 А................. 10 — 50
  • Модуль коэффициента передачи тока при f=3,5 МГц, Uк=10 В и Iэ = 0,5 А............. 2
  • Ток коллектора, А.............. 10 Начальный ток коллектора, мА, при Uкэ=120 В . . 3 Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=10 В и 1э== 0,5 А.................. 50 Ток базы, А................ 4
  • Емкость коллектора, пФ, при f=1 МГц и Uк6= 100-В 500 Напряжение UЭб, В, в режиме насыщения при Iк=6 А
  • и I6 = 0,6 А................. 2,5
  • Напряжение UKa, В, при Rо=10 Ом....... 120
  • Импульсное напряжение Dm, В, при тинп = 500 мкс, скважности 1,5 и TП<10°С........... 250
  • Напряжение UЭб, В............. 4
  • Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт . .. 2
  • Мощность, * рассеиваемая коллектором, Вт, при тем­пературе корпуса ниже 50 °С: с теплоотводом.............. 50 без теплоотвода.............. . 5
  • Температура перехода, °С ......... . 150
  • * При температуре корпуса более 50 °С мощность, Вт, Ркмакс= (150-Тк)/2.
 
Транзисторы n-р-n КТ809А используют для работы в выходных каскадах строчной развертки, усилителях импульсных сигналов и других радиоэлектронных устройствах, их выпускают в металличе­ском корпусе с жесткими выводами массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электриче­ские параметры приведены ниже.
  • Статический коэффициент передачи тока при Uк=5 В и Iк=2 А............15 — 100
  • Модуль коэффициента передачи тока при f= 3,5 МГц, Iк=0,5 А........... 1,5
  • Ток коллектора, А, в рабочем диапазоне темпе­ратуры................. 3
  • Импульсный ток коллектора, А, при тиып<400 мкс............... 5
  • Начальный ток коллектора, мА, при Uка=400В 6
  • Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=4 В . . 50
  • Ток базы, А.....,......... 1,5
  • Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 2 А и Iб=0,4А: коллектор — эмиттер.......... 1,5база — змиттер............2,3
  • Напряжение UK3, В, при R6<100 Ом и темпе­ратуре от — 60 до +100 °С ......... 400
  • Напряжение UЭб, В, в диапазоне рабочих тем­ператур ................ 4
  • Граничная частота коэффициента передачи то­ка, МГц...............« 5,5
  • Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, с теплоотводом при Тк= — 60-+500С..... 40 Температура перехода, °С ......... 1ЗД
  • * При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Pк.макс= (150-Гк)/2,5.
 
Высоко- и сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ905 (А, Б) выпускают в металлопластмассовом или металлостеклянном корпусе массой соответственно 7 и 4,5 г (с крепежным фланцем 6 г), с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
  • Статический коэффициент переда.чи тока при U„=10 В и Iк=3 А............35 — 100
  • Модуль коэффициента передачи тока для ГТ905Б при Uк=10 В, Iа=0,5 А и f=20 МГц . . 3
  • Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UКб=30 В, Iэ=0,03 А и f=10 МГц .... 300
  • Ток коллектора, А: постоянный............. 3 импульсный при тимп=?20 мкс...... 7
  • Ток базы, А: постоянный.............0,6 импульсный............. 1
  • Обратный ток, мА: коллектора ..... ........ 2 эмиттера при UЭб = 0,4 В ........ 5
  • Емкость коллектора, пФ, при UКб=30 В и f= 10 МГц................200
  • Напряжение, В, в режиме насыщения при 1К= 3 А и I6=0,5 А: база — эмиттер . . ........... 0,7коллектор — эмиттер . ......... 0,5
  • Напряжение Uкэ, В, при разомкнутой цепи ба­зы и Iэ = 3 А.............. 65
  • Напряжение Uкэ, В, для транзисторов: ГТ905А............... 75 ГТ905Б............... 60
  • Напряжение Uкэ, В, на запертом транзисторе для ГТ905А при тимп = 20 икс ........ 130
  • Общее тепловое сопротивление, °С/Вт , , . t50
  • Мощность, Вт, рассеиваемая коллектором: с теплоотводом при Тк — — 55-+30°С ... 6 без теплоотвода при Гн== — 55-+25°С ... 1,2
  • Температура перехода, °С......... 85 
Транзисторы n-р-n КТ907 (А, Б) выпускают в металлокерамическом корпусе с винтом и жесткими выводами, массой 5,3 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Элект­рические параметры приведены в табл. 125.

Параметры
 
 
Типы транзио торов
ГТ907А
 ГТ907Б
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ=28 В, Iк= 400 мА и f=100 МГц
3,5
3
Постоянная времени цепи обратной связи, не, при Uк=т10 В Критический ток коллектора, мА, при Uкэ=10 В и f= 100 МГц
15 1000
25 800
Выходная мощность, Вт, при РВх=4 Вт, UKЭ = 28 В и f= 400 МГц
9
7
Емкость коллектора, пФ, при UКб — 30 В
20
20

  • Начальный ток коллектора, мА, при UКэ = 60В, Rб=100 Ом и температуре среды 20 и 85 °С соот­ветственно ............... 3 и 6
  • Ток коллектора, А: постоянный............. 1 импульсный............. 3
  • Обратный ток эмиттера, мкА, при Uбэ=4 В и температуре среды 20 и 85 °С соответственно . 350 и 700
  • Ток базы, А .............. 0,4
  • Напряжение Uн, В, при котором наступает пе реворот фазы базового тока, при Iэ=200 мАч . 40
  • Напряжение UКэ, В, при Rб=100 Ом .... 60 Напряжение U9б, В.......... 4 Импульсное напряжение Uкв, В ..... - 70
  • Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, при Tк=25 °С . . . . . ........ . . . 13,5
  • Коэффициент полезного действия при £к=28 В и f=400 МГц, %............. 45
  • Температура корпуса, °С ........ 85 Температура перехода, ЬС ......... 120
* При температуре корпуса от 25 до 85 °С мощновть, Вт, Pк.макс=( 120-T ксС)/7,5.
 
Транзисторы n-р-n КТ908 (А, Б) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами массой 22 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 60 до + 125 °С. Электрические пара­метры транзисторов приведены ниже.
  • Статический коэффициент передачи тока при UK=2 В и Iк=10 А............. . 8 — 60
  • Начальный ток коллектора, мА, при UКэ=100 В 25 Ток коллектора,- А............ 10
  • Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=5 В ... 50 Ток базы, А............... 5
  • Напряжение UM, В, в режиме насыщения при Iк= 10 А и Iб=2 А............. 1,5
  • Напряжение UKa, В, при Т0= — 60-100°С для групп: КТ908А при Rб<10 Ом.......... 100 КТ908Б при Rб<250 Ом ......... 60 Напряжение U8о, В............ 5
  • Граничная частота передачи тока, МГц .... 30 Мощность*, Вт, рассеиваемая коллектором, при Tн<50°С.................. 50 Температура перехода, °С.......... 150
* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Рк.макс=(150 — Tк)/2. 
 
Транзисторы n-р-n КТ911 (А — Г) выпускают в металлическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры приведены в табл. 126

Параметры
Типы транзисторов
 
 
КТ911А
КТ911Б
КТ9ИВ | КТ9ИГ
Модуль коэффициента пере* дачи тока при f=400 МГц, 1 U„=10 В и Iк=100 мА
1,5-5,2
2 — 3,8
2,5 — 5,2
2 — 3,8
Постоянная времени цепи
25
25
50
103
обратной связи, пс, при
 
 
 
 
f=5 МГц, Uк=10 В и Iк=
 
 
 
 
= 30 мА
 
 
 
 
Критический ток коллекто-
170
150
160
140
ра, мА, при f=400 МГц
 
 
 
 
Выходная мощность, Вт,
 
 
 
 
при Uк =28 В и Рвх=
 
 
 
 
= 0,4 Вт на частоте, ГГц:
 
 
 
 
1,8
1
 —
0,8
1
 —
1
 
0,8
Ток коллектора, мА
400
400
400
400
Обратный ток коллектора,
 
 
 
 
мкА;
 
 
 
 
при Uкб =55 В
5
5
__
при Uкб =40 В
 —
 —
10
10
Обратный ток эмиттера,
2
2
2
2
мкА, при Uкб=3 В
 
 
 
 
Емкость коллектора, пФ,
3,5 — 10
3,5 — 10
3,5 — 10
3,5-10
при f=5 МГц и Uкб=
 
 
 
 
= 28 В
 
 
 
 
Напряжение UKB, В, . при
40
40
30
30
Напряжение UK6, В
55
55
40
40
Напряжение U3s, В
3
3
3
3
Мощность *, Вт, рассеивае-
3
3
3
3
мая коллектором при TК=
 
 
 
 
= — 40-+25°С
3
3
3
3
Температура корпуса, °С
85
85
85
85
Температура перехода, °С
120
120
120
120

* При температуре корпуса 25 — 85° С мощность, Вт, Рк.макс.=(120 — Tк)/33.