.

Транзисторы малой мощности

Транзисторы малой мощности  Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р — n — р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах уси­ления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры приведены в табл. 109.
Кремниевые транзисторы р-n-р МП 114, МП 115, МП116 выпуска­ются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гиб­кими выводами массой 1,7 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Электрические параметры приведены в табл. 110. 
Таблица 109

Параметры
Типы транзисторов
МП39Б
МП40А
МП41А
Предельная частота передачи тока, МГц, при Iэ=1 мА и Uкб=5 В
0,5
1
1
Коэффициент передачи тока при Uкб= — 5 В; Iа=1 мА, f=1 кГц и температуре, СС :
 
 
 
20
20 — 60
20 — 40
50 — 100
60
20 — 80
20 — 120
50 — 300
 — 40
10 — 60
10 — 40
25 — 100
Пробивное напряжение Uкб, В, при f=50 Гц
15
30
15
Наибольшие; напряжения UKЭ и UK6, В, при ,40 °С: постоянное
15
30
15
импульсное
20
30
20
Коэффициент шума, дБ, при Iэ=0,5 мА, Uкб=1,5 В и f=1 кГц
12
 
 

  • Обратный ток коллектора, мкА, при UКб= — 5 В и температуре, °С: 20 ............... 15 70 ............... 300
  • Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭб= — 5 В 30
  • Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20
  • Емкость коллектора, пФ, при UK6=5 В и f=500 кГц.............. 60
  • Наибольший импульсный ток коллектора, мА, при IЭСр<40 мА......... 150
  • Выходная проводимость, мкСм, при Iэ=1 мА, U„б=5 В и f=1 кГц.......... 3,3
  • Сопротивление базы, Ом, при Iэ=1 мА, Uкб=5 В и f=500 кГц......... 220
  • Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, °С: 55 ............... 150 70................ 75
  • Отрицательное напряжение Uэв, В .... 5 
Таблица 110

Параметры
Типы транзисторов
МП114
МШ15
МП 116
Предельная частота передачи тока, кГц, при Uкб=5 В и Iэ=1 мА
100
100
500
Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Uкэ=5 В, Iэ=1 мА, f= 1 кГц
9
9 — 45
15 — 100
Пробивное напряжение UKб, В, при f=50 Гц
70
40
20
Напряжения UK6 и UKa, В, при 70 °С
60
30
15
Напряжение Uae при температуре от — 50 до т 100 °С
10
10
10

  • Обратный ток коллектора, мА, при Uк= — 30 В и температуре 20 и 100 °С соответственно ... 10 и 400
  • Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб= — 10 В и температуре 20 и 100 °С соответственно . . . - 10 и 200
  • Входное сопротивление, Ом, в схеме с ОБ при LU= — 50 В, Iэ=1 мА, f=1 кГц....... 300
  • Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70°С................. 150
Среднечастотные. Транзисторы р-n-р КТ203 (А, Б, В) приме­няются для усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и вы­пускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами , массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл.

Параметры
Типы транзисторов
КТ203А
КТ203Б
МТ203В
Предельная частота передачи тока в схеме с ОБ, МГц
5
5
5
Коэффициент передачи тока в режи­ме малого сигнала при Uк=5 В, Iэ=1 мА
9
30 — 100
30 — 200
Напряжение Uкэ, В, при температуре °С: от — 55 до +75
60
30
15
125
30
15
10
Напряжение UЭб, В Входное сопротивление, Ом, в схеме
30
300
15
300
10
300
с ОБ при данном Uье *
 
 
 

  • Обратный ток коллектора, мкА, при наибольшем обратном напряжении и температуре 25 и 125 °С соответственно...............1 и 15
  • Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэ6= — 30 В . 10
  • Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКб=5 В и f=10 МГц............. 10
  • Ток коллектора, мА: постоянный .............. 10 импульсный............. . 50.
  • Среднее значение тока эмиттера в импульсном ре­жиме, мА................. 10
  • Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С ......... V . . 150
* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение ukq соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,
 
Высокочастотные. Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл

Параметры
Типы транзисторов
 
 
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
Статический ко­эффициент пет редачи тока при Uкэ=3 В и I, = 500 мА
20 — 60
40 — 120
80 — 200
20 — 60
40 — 120
80 — 200
Модуль коэффи­циента передачи тока при I8= 15 мА, Uк = 10 В и f = 20 МГц
3
8
3
3
3
3
Емкость перехода пФ: коллекторно­го, при UKa= — 10 В и f=5 МГц
80
80
80
80
80
80
эмиттерного при Uэб= — 0,5 В
600
600
600
600
600
600
Постоянная вре­мени цепи обратной связи, пс, при ин= 10 В, Iэ= 15 мА и f= 5 МГц
600
600
600
600
600
600
.Напряжение на коллекторе, В, при котором на­ступает перево­рот фазы базо­вого тока при Iэн=700 мА и Tк<450С
40
40
40
30
30
30

  • Обратный ток коллектора, мкА, при UK= — 30 В, Tк=20°С............. . . . . 100
  • Начальный ток коллектора, мА, при R6=100 Ом и предельном напряжении UKa........ 0,8
  • Напряжение в режиме насыщения, В: Uкэ при Iк=700 мА........... 2,5 Uбэ при I„=700 мА*.......... 1,3
  • Импульсный ток коллектора, А, при тимп=30 мкс и температуре 45 °С............ 2
  • Ток базы, мА.............. 30
  • Импульсный ток базы, мА, при тимп=30 мкс . . 500
  • Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<45°С ................ 160
  • Импульсная мощность на коллекторе, Вт, при TК<45°С ................ 20
* При токе базы 140 мА — для транзисторов ГТ321А, ГТ321Г; 70 мА — для ГТ321Б, ГТ321Д и 36 мА — для ГТ321В, FT321E 
Транзисторы р-n-р ГТ322 (А, Б, В) применяются для работы в УВЧ радиовещательных приемникрв и выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 59, б), массой 0,6 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до -{-55 °С. Корпус Кр тран­зистора электрически соединен с четвертым выводом и может быть использован в качестве экрана. Электрические параметры транзи­сторов приведены в табл.

Параметры
Типы транзисторов
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ322В
Статический коэффициент передачи тока
30 — 100
50 — 120
20 — 120
Модуль коэффициента передачи тока на f=20 МГц
4
4
2,5
Емкость коллектора, пФ, при Uкб= — 5В и f=10 МГц
1,8
1,8
2,5
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при f=5 МГц
. 50
100
200

  • Обратный ток коллектора, мкА, при UКб= — 10 В и температуре, °С: 20.................. 4 55.................. 100
  • Входное сопротивление *, Ом, в схеме с ОБ в диа­пазоне частот от 50 до 1000 Гц...... . 34
  • Выходная проводимость*, мкСм, в схеме с ОБ в. диапазоне частот от 50 до 1000 Гц...... 1
  • Коэффициент шума *, дБ, на частоте 1,6 МГц . . 4
  • Тепловое сопротивление, °С/мВт....... 0,7
  • Ток коллектора, мА............ 5
  • Напряжение UKn, В............ — 15
  • Напряжение UK3, В при Rб>10 кОм..... 10
  • Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<25°С ................ 50  При икб-----5 В и 1Э=1 мА.
 
Транзисторы n-р-n ГТ323 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами, массой 2 г, с диапа­зоном рабочих температур — 55 до +60 °С. Электрические парамет­ры транзисторов приведены в табл

Параметры
 
Типы транзисторов
ГТ323А
ГТ323Б
ГТ323В
Статический коэффициент передачи тока при Iк =0,5 А и Uкв=5 В
20 — 60
40 — 120
50 — 200
Время рассасывания, не, при Iк — 1 А и токе базы *
100
100
150

  • Емкость, пФ: коллектора при UКб=15 В и f=5 МГц .... 30 эмиттера при U8б=0,25 В и f=5 МГц .... 100 Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Uк=10 В, Iэ=10 мА и f=10 МГц....... 300
  • Обратный ток, мкА: коллектора при UK6=20 В . ..... 30 эмиттера при UЭб=2 В.......... 100
  • Напряжение коллектора, В, при котором наступает переворот фазы базового тока при Iэ=100 мА . . 10 Напряжение в режиме насыщения, В: Uкэ при Iк=1 А и I6=100 мА....... 2,5 Uбэ при Iк=1 А и, I6=100 мА....... 3
  • Импульсный ток коллектора, А ....... 1
  • Напряжение UКб, В............ 20
  • Напряжение UK9, В, при Яв=1 кОм..... 20
  • Напряжение UЭб, В............ 2
  • Напряжение Uка, В, запертого транзистора при Uбэ=0,25-2 В.............. 20
  • Мощность**, мВт, рассеиваемая коллектором, с 500 теплоотводом, при температуре от — 50 до +50 °С
  • Импульсная мощность, Вт, при тимп=0,5 мкс . . 5  100 мА — для ГТ323А. 50 мА — для ГТ323Б, 25 мА — для ГТ323В. ** При температуре корпуса Тк -50-60 °С мощность. мВт, РKMaKC=10(100-Tк°C).
 
Планарные транзисторы n-p-n KT312 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Их входные и выходные характеристики показаны на рис. 60, б, в, а электриче­ские параметры приведены в табл.

Параметры
 
 
Типы транзисторов
КТ312А
КТ312Б
КТ312В
Статический коэффициент передачи тока при Iк=20 мА, Uк=2 В
10 — 100
25 — 100
50 — 280
Модуль коэффициента передачи токч при Iэ=5 мА, Uк=10 В и f=20 МГц;
4
6
6
Максимальное напряжение, В:
Uкб
20
35
20
Uкэ при сопротивлении между эмиттером и базой 100 кОм
20
35
20

 
  • Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Iэ=5 мА, Uк=10 В и f=5 МГц........... 500
  • Емкость, пФ коллектора при UКб=10 В и f=10 МГц........... 5 эмиттера при Uэб — 1 В и f=10 МГц ..................20
  • Обратный ток коллектора, мкА, при Uкб=15 В (для КТ312А и КТ312В) и при Uнб=30 В (для КТ312Б) .... 10
  • Обратный ток эмиттера, мкА, при UB6=4 В............ 10
  • Напряжение в режиме насыщения, В: UM при Iк=2 мА и I6=20 мА . . 0,8 Uбэ при Iб=2 мА и Iк=20 мА . . 1,1
  • Постоянный ток коллектора, мА ... 30
  • Импульсный ток коллектора, мА ... 60
  • Напряжение Uэб, В ....... 4
  • Мощность, мВт, рассеиваемая коллек­тором, при TK<60°C....... 225
  • Импульсная мощность, мBт, при Тимп<1 мкс........... 450
 
Транзисторы n-p-n KT315 (А — Е) выпускаются в пластмассо­вом корпусе  массой 0,18 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Входные и выходные характеристики этих транзисторов показаны на рис. 60, д, е, а их электрические па­раметры приведены в табл.

Параметры
Типы транзисторов
КТ316А
КТ315Б
КТ315В
КТ316Г
КТ315Д
КТ315Е
Статический ко­эффициент пе­редачи тока при Uк=10 В и Iв=1 мА
20 — 90
50 — 350
20 — 90
50 — 350
20 — 90
50 — 350
Модуль коэффи­циента переда­чи тока при
Uк=10 В, I8 =5 мА и
f=100 МГц
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
2,5
Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при Uи=10 В, I8=5 мА
500
500
500
500
1000
1000
 
Напряжение Uнз, B, при R6э=10 кОм
20
15
30
25
 —
 —
 
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iн=20 мА
и Iб=2мА:
 
 
 
 
 
%
 
UKэ
0,4
0,4
0,4
0,4
0,1
0,1
 
Uбэ
0,1
0,1
0,1
0,1
15
1 5
 
Напряжение кол­лектора, В, при котором насту­пает переворот фазы тока Iб при Iв=5 мА
15
15
30
25
30
25
 

  • Обратный ток, мкА: коллектора при Uк6=10 В...... 1 эмиттера при Uэб=5 В....., . 30
  • Наибольший ток коллектора, мА . . . . 100
  • Общее тепловое сопротивление, °С/мВт . , 0,67 Емкость коллектора, пФ, при UK=10 В . . 7
  • Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт 150 
Транзисторы р-n-р КТ347 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе массой 0.5 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +85°C. Электрические параметры транзисторов приведены а табл.

Параметры
Типы транзисторов
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
Предельно допустимое напряжение UK9, В, при Rб<10 кОм
15
9
6
Предельно допустимое напряжение Uкб, В
15
9
6
Время рассасывания, не, при Iб1 = I62= 1 мА, Iк= 10 мА
25
25
40

  • Модуль коэффициента передачи тока на f=100 МГц при Uк=5 В, Iэ=10 мА ........... 5
  • Обратный ток, мкА: коллектора при предельно допустимом UКб . 1 эмиттера при U3е=4 В « ......... 10
  • Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм и предельно допустимом UKa......... 5
  • Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насы­щения, В, при Iк=10 мА и Iб=1 мА...... 0,3
  • Емкость эмиттера, пФ, на частоте 10 МГц при Uэб=0.................. 8
  • Напряжение Uэо, В............ 4
  • Постоянный ток коллектора, мА ....... 50
  • Импульсный ток коллектора, мА ....... ll0
  • Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при TС<55°С.......;......... 150
  • Тепловое сопротивление, °С/мВт ....... 0,5
 
Транзисторы р-n-р КТ349 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами , массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С, Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

 
КТ349А
КТ349Б
КТ349В
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iа=10 мА .....
20 — 80
40 — 160
120 — 300
Модуль коэффициента пе­редачи тока при f=100 МГц; и Iэ=10 мА ......
 
3
 
Предельная частота пере­дачи тока, МГц .... .
 
300
 
Обратный ток, мкА: коллектора при UK6= 10 В ......
 
1
 
эмиттера при UЭб=4 В Начальный ток коллекто­ра, мкА, при Uкэ=4 В. Rб<20 кОм
 
1 1,5
 
Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА:
ика ........
 
0,3
 
иба . . . .....
 
1,2
 
Емкость перехода, пФ:
коллекторного при UКб=5 В и f=10 МГц . . .
 
6
 
эмиттерного при Uэс=0 и f=10 МГц ....
 
8
 
Импульсный ток коллек­тора, мА, ПРИ Тиып<1 МКС
 
40
 
Напряжение UКб, В ...
 
20
 
Напряжение UЭб, В ...
 
4
 
Напряжение Uкэ, В, при Rб<10 кОм . .....
 
15
 
Мощность*, мВт, рассеива­емая коллектором, при Tс= — 40+300С . . . . .
 
200
 

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт, РК.МаКС= ( 150-7 с)/0,6.
Транзисторы р-n-р КТ350А выпускаются в металлическом кор­пусе с гибкими выводами массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
  • Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iэ=500 мА : . ........20 — 200
  • Модуль коэффициента передачи тока при f= 20 МГц, UH=5 В и Iэ=10 мА ....... 5
  • Емкость, пФ: коллектора при Uиб=5 В и f=5-10 МГц . 70 эмиттера при UЭб=1 В и f=5-10 МГц ... 100
  • Напряжение в режиме насыщения, В, при Iк=500 мА и Iб=50 мА: Um ................0,5 Uбэ ................1,25
  • Обратный ток, мкА: коллектора при UKБ=10 В....... 1 эмиттера при Uэб=4 В........ 10
  • Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп<1 мс . :..............боо
  • Напряжение UKэ, В, при Rб<10 кОм .... 15
  • Напряжение UKo, В...... . . .20
  • Напряжение Uб, В........... 4
  • Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором,
  • при температуре от — 40 до +30°С .... 200 .
* При температуре среды более 30 °С мощность, мВт, Р К.МАКC= -J150-7- с)/0.6.
 
Транзисторы р-n-р К351 (А, Б) выпускаются а металлическом корпусе с .ибкими выводами массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.

 
КТ351А КТ351Б
Статический коэффициент передачи тока при UK=l В и Iэ=300 мА . .
20 — 80 50 — 200
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА ..........
2
Емкость, пФ, при f=5-10 МГц: коллектора при UКб=5 В ...
эмиттера при (7Эб=1 В ....
15
30
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк=400 мА и Iб=50 мА: UKa . . . . ; ..... ; .
0,6
Uбэ ....... ....
1,1
Обратный ток, мкА: коллектора при UКб=10 В . .
эмиттера при Uэо=4 В ....
1
10
Импульсный ток коллектора, мА,
при Тимп = 4 МКС . . ......
400
Напряжение UK9, В, при Rб< .10 кО,м Напряжение Uкб, В ..... .
15 20
Напряжение UЭб, В ..... , Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре от -40 до +30 °С ........
4 200

* При температуре среды более 30 °С мощнвсть, мВт, Р ft,MaftG: = ( 150-Tc)/0,6.
 
Транзисторы p-n-р КТ373 (А — Г) выпускаются в пластмассовом корпусе массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4- 85 °С. Электрические параметры транзисторов приведе­ны в табл. 118.
Таблица 118

Параметры
Типы транзисторов
КТ373А
КТ373Б
KT373B
КТ373Г
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В в Iэ= 1 мА
100 — 250
200 — 600
500 — 1000
50 — 125
Модуль коэффициента передачи тока при IЭ=5мА и f=100МГц
3
3
3
3
Емкость коллектора,
ПФ, При Uкб=б В
8
8
8
8
Напряжение Uкб, В
30
25
10
60
Напряжение переворота фазы тока базы при £«5мА
25
20
10
25

  • Напряжение Uac, В ....... 5
  • Обратный ток, мкА: коллектора при UKa=25 В ... 0,05 эмиттера при Uэб = 5 В . . . . . 30
  • Ток коллектора, мА: постоянный . . . . . . . . . 60 импульсный ......... 200
  • Предельная частота передачи тока базы, МГц . . . . . . .... .300
  • Мощность, рассеиваемая коллекто­ром, мВт . . . . . . . . . . . . 150