Под воздействием прямого входного напряжения UBX пр через диод проходит прямой ток IПр  который оп­ределяется как прямым напряжением UПр, так и сопротивлениями прямосмещенного перехода гпр и нагрузки RH В момент времени to меняется полярность приложенного напряжения на обратное U0бр и, вследствие чего из­меняется на обратное и направление тока Однако нако­пившиеся в базе неосновные носители некоторое время удерживают переход под прямым смещением, в результате чего сопротивление перехода остается небольшим и через диод проходит относительно большой обратный ток IОбр и, превышающий обратный ток устано­вившегося режима Iо (Iобр и > Iо). Сила этого тока определяется зна­чением обратного напряжения U0бр и и сопротивлением нагрузки RH. В интервале времени рассасывания tp происходит экстракция ды­рок из базы в змиттерную область р и одновременно их частичная рекомбинация. К концу этого процесса концентрация дырок рп в базе снижается до равновесной рпо (имеющей место при потенциа­ле перехода U=0,, переход получает обратное смещение, его сопротивление становится большим (rдиф=rобр), вследствие че­го ток через переход снижается). Время tc, В тече» ние которого происходит спад импульса тока до исходного значе­ния Iо, соответствующего равновесному режиму, называют временем восстановления (tВ0с = tс). Диффузионные диоды с плавными пере­ходами и тонкой базой обладают меньшим временем восстановления, чем точечные и сплавные с резкими р-д-переходами Емкость импульсных диодов колеблется от 0,5 до 15 пФ. Поте­ри, а также частотные и импульсные свойства диодов характеризу­ет выходное напряжение UВых, снимаемое с нагрузки RH Для диодов, работающих на прямой ветви ВАХ, т. е на включение, важен температурный коэффициент напряжения ТКН, характеризующий стабильность Uпр в рабочем диапазоне температур.

Кремниевые импульсные диоды КД504А применяют в радиотех­нических и измерительных устройствах, схемах детектирования, эле­ментах ЭВМ и выпускают в металлостеклянном светонепроницаемом корпусе  с гибкими выводами, массой до 0,7 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +100°С. Электрические па­раметры диодов приведены ниже.

Кремниевые импульсные диоды КД509А, КД510А применяют для импульсных радиоэлектронных устройств и выпускают в стеклянном светонепроницаемом корпусе с гибкими выводами, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +85 °С. Срок службы 15000 ч. Электрические параметры диодов приведены ниже.

Кремниевые импульсные диоды КД513А применяют в широко­полосных ограничителях и  детекторах, элементах ЭВМ среднего и высокого быстродействия и выпускают в пластмассовом корпусе  с гибкими выводами, массой 0,11 г, с диапазоном рабо­чих температур от — 60 до +85°С. Срок службы 10000 ч. Электри­ческие параметры диодов приведены ниже.

Кремниевые импульсные диоды КД521(А — Д) применяют в ши­рокополосных ограничителях и детекторах, элементах ЭВМ среднего и высокого быстродействия и выпускают в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, массой 0,15 г, с диапазоном рабо­чих температур от — 60 до +125°С. Срок службы 15000 ч.  Диоды маркируют одной широкой и двумя узкими цветными полосами: КД521 А — синими, КД521Б — серыми, К Д 521В — желтыми, КД521Г — белыми, КД521Д — зелеными. Электрические

Параметры	Типы диодов
	КД521А	КД521Б	КД521В	КД521Г	КД521Д
Постоянное прямое напряжение, В, при Iпp= 20 мА и тем пературе, °С:
+25	1	1	1	1	1
— 60	1,5	1,5	1,5	1,5	1,5
Постоянный обратный ток, мкА,При Uобр макс  И температуре, °С:
+ 25 и — 60 125	1 100	1 100	1 100	1 100	1 100
Заряд переключе­ния, пКл, при Uобр = 10 В	200	200	200	200	200
Допустимое об­ратное напряже­ние, В:
постоянное	75	60	50	30	12
импульсное	80	65	55	35	15
При ТИмп =2 мкс и скважности более 10					-

Параметры	Типы диодов
	КД522А	КД522Б
Постоянное прямое напряжение, В, при IПр= 100 мА и температуре, °С: 25	1,1	1,1
55	1,5	1,5
Постоянный обратный ток, мА, при тимп< <10 мкс, скважности более 10 и темпера­туре, °С:
+ 25 и — 60	2	5
85	50	50
Заряд переключения, пКл, при Iпр=50 мА и Uобр.и=10 В	400	400
Допустимое обратное напряжение, В:
постоянное	30	50
импульсное при скважности более 10 .	40	60