.

универсальные диоды

Универсальными называют высокочастотные диоды, применяемые для выпрямления, модуляции, детектирования и других нелинейных преобразований электрических сигналов, частота которых не превышает 1000 МГц. Вторым элементом обозначения универсальных диодов является буква «Д». На схемах они изображаются так же, как и выпрямительные диоды . Диод будет обладать односторонней проводимостью Это достигается использованием точечных p-n-переходов, обладающих малой площадью и малой зарядной емкостью. Диоды с такими переходами называют точечными. Точечный p-n-переход образуется в точке контакта металлической иглы с пластинкой полупроводника n-типа. Для стабилизации свойств диода применяют электроформовку точечного p-n-перехода путем пропускания через него коротких импульсов тока. Энергия этих им пульсов должна быть достаточной для сплавления конца иглы с полупроводником. Материал иглы подбирают так, чтобы он являлся акцептором для полупроводника n-типа. Например, иглу изготавливают из бериллиевой бронзы или покрывают ее конец индием, алюминием и т.д. При сплавлении происходит диффузия примесей в полупроводник, формируется область с проводимостью p-типа и образуется p-n-переход в форме полусферы. Емкость такого перехода составляет единицы пикофарад. Малая площадь p-n-перехода и плохие условия отвода теплоты затрудняют получение прямых токов диода более 20 мА.
Большими прямыми токами характеризуются микросплавные диоды, у которых p-n-переход получается при электроформовке контакта между пластинкой полупроводника и иглой с плоским торцом. Увеличение площади p-n-перехода позволяет повышать прямые токи и улучшать условия теплоотвода. Корпус этих диодов изготавливают из стекла. У некоторых диодов на корпус наносят непрозрачное покрытие, исключающее воздействие света на кристалл полупроводника. 
 Германиевые диоды ГД403 (А, Б, В) служат для работы в ка­честве детекторов радиотехнических устройств. Они выпускаются в металлическом корпусе массой 0,6 г, с диапазоном рабочих температур от — 25 до + 55°С. Электрические параметры дио­дов приведены в табл. 77

Таблица 76
 
Параметры
Типы диодов
ГД402А
ГД402Б
Обратное напряжение, В, любой формы и периодичности
15
15
Обратный ток, мкА, при Uобр=10 В
100
100
Прямой ток, мА, при температуре, °С: от — 55 до +25
25
25
60
20
20
Прямое напряжение, В, при Iпр=15 мА
0,45
0,45
Импульсный прямой ток IПр и макс, мА, при
Тимп — 10 МКС
100
100
Дифференциальное сопротивление, Ом, при Iпр=15 мА и температуре 25 °С
4,5
6
Емкость диода, пФ, при (Уобр = 5 В
0,8
0,5

Таблица 77

Параметры
Типы диодов
ГД403А
ГД403Б
ГД403В
Обратное напряжение, В
5
5
5
Прямой тсцк, мА, при UПр =0,5 В
5
5
5
Коэффициент передачи при температуре, °С
0,33 — 0,47
0,4 — 0,56
0,47 — 0,66
 — 25
0,18 — 0,26
0,22 — 0;35
0,26 — 0,045
Входное сопротивление, кОм, при температуре, °С:
 
 
 
+ 25
15 — 30
11 — 24
8 — 20
 — 25
22 — 37
18 — 31
15 — 27

Таблица 78 

Параметры
Типы диодов
КД407А
КД409А
Амплитуда обратного напряжения, В Обратный ток, мкА, при температуре, °Сз
24
24
25
0, 5
0,5
100
10
10
Средний прямой ток, мА, при температуре, °С: от — 60 до +35
50
50
100
25
25
Наибольший импульсный прямой ток, мА, при Тимп<10 мкс, скважности более 10 и тем­пературе, °С: от — 60 до +35
500
500
100
Дифференциальное сопротивление при IПр = 10 мА в диапазоне частот, МГц: f=50-100
250
250 1
f=50-300
1
 —
Емкость, пФ, при обратном напряжении, Вз 5
1
15 , Индуктивность, нГн
5
2 4
Мощность, Вт, при Rн = 75 Ом в диапазоне частот 50 — 300 МГц
1
-

Кремниевые диоды КД407А, КД409А. Диоды КД407А исполь­зуют для работы в коммутационных схемах аппаратуры широкого применения и выпускают в стеклянном корпусе  массой 0,3 г, а диоды КД409А применяют для работы в селекторах теле­визионных каналов и другой аппаратуре и выпускают в пластмас­совом корпусе  массой 0,16 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до 100 °С для обоих типов. Электрические пара­метры диодов приведены в табл. 78.
Кремниевые диоды КД411 (А — Г, ) выпускают с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до +90°С. Электрические па­раметры диодов приведены в табл. 79.
Таблица 79

Параметры
Типы диодов
КД411А
КД411Б
КД411В
КД411Г
Постоянное обратное на­пряжение, В
700
600
500
400
Обратный ток, . мкА, при температуре от +70 до — 40 °С
0,7
0,7
0,7
0,7
Постоянное прямое напря­жение, В, при прямом то­ке
1,4
1,4
1,4
2
Постоянный прямой ток, А, при температуре от — 40 до + 70°С
1
1
1
1
Прямой импульсный ток, А, при частоте следования импульсов и температуре:
 
 
 
 
до 20 кГц и от — 40 до + 70°С
5
5
 —
 —
до 500 Гц и рабочей
10
10
10
10