.

Параметры и эквивалентные схемы Полевых Транзисторов

Основными параметрами Полевых Транзисторов, являются:
  • крутизна характеристики S=∆IС/∆UЗИ при UСИ=const, S=0,1… 500мА/В;
  • внутреннее  дифференциальное  сопротивление RИС ДИФ (внутреннее  сопротивление)  RИС ДИФ = ∆UСИ/ IС  при UЗИ=const, RИС ДИФ=10 … 50 кОм;
  • начальный ток стока IС НАЧ – ток стока при нулевом напряжении UЗИ; у ПТ  с  p-n  переходом  IС НАЧ =0,2 ÷ 600мА,  МОП  со  встроенным   каналом IС НАЧ=0,1 … 100мА, МОП с индуцированным каналом IС НАЧ=0,01 ÷ 0,5мкА;
  • напряжение отсечки UЗИ ОТС = 0,2 ÷ 10В;
  • сопротивление    сток  –  исток   в   открытом  состоянии RСИ ОТК=2 … 300 Ом;
  • максимальная частота усиления fмакс – частота, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице (fмакс – десятки ÷ сотни МГц).
Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Рассмотрим наиболее распространенные схемы замещения полевых транзисторов. На рис.8.7, а приведена схема замещения ПТ с управляющим p-n переходом, а на рис.8.7, б – с изолированным затвором. Такое включение наиболее часто используется при разработке схем на ПТ.

Рис.8.7. Эквивалентные схемы ПТ с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором 
Следует отметить, что входное и выходное сопротивления ПТ носят явно емкостной характер. Активная составляющая входного тока для ПТ с управляющим p-n переходом обусловлена током обратно смещенного p-n перехода и весьма мала.