Усиление с помощью транзистора. На рис.7.3 изображена схема усилительного каскада с транзистором типа n-p-n. Принято данную схему называть схемой с общим эмиттером, так как эмиттер является общей точкой для входа и выхода схемы.

Входное напряжение UВХ, которое нужно усилить, подается от источника колебаний на участок база – эмиттер. На базу подано также положительное смещение от источника Е1, являющееся прямым напряжением для эмиттерного перехода. При этом в цепи базы протекает некоторый ток. Цепь коллектора питается от источника Е2. Для получения усиленного выходного напряжения в эту цепь включена нагрузка RН. 

Рис.7.3. Схема включения транзистора в усилительный каскад (схема с общим эмиттером) 

 

Работа усилительного каскада с транзистором происходит следующим образом. Изобразим эквивалентную схему усилительного каскада (рис.7.4). 

Рис.7.4. Эквивалентная схема усилительного каскада 

Напряжение источника Е2 делится между сопротивлением нагрузки RН и сопротивлением транзистора rтр постоянному току коллектора. Это сопротивление приблизительно равно сопротивлению коллекторного перехода rК0 для постоянного тока. Напряжение на коллекторе транзистора определяется из выражения:

UК = Е2 – IКRН.   Если во входную цепь включается источник колебаний, то при изменении его напряжения меняется ток эмиттера, а, следовательно, сопротивление коллекторного перехода rК0. Тогда напряжение источника Е2 будет перераспределяться между RН и rтр. При этом переменное напряжение на резисторе нагрузки может быть получено в десятки раз большим, чем входное переменное напряжение. Изменения тока коллектора почти равны изменениям тока эмиттера и во много раз больше изменений тока базы. Поэтому в рассматриваемой схеме получается значительное усиление тока, напряжения и мощности.

Временные диаграммы напряжений и токов транзистора изображены на рис.7.5. Следует обратить внимание, что напряжение UКЭ инвертировано по фазе относительно входного сигнала.